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纳米Si-SiN_X复合薄膜发光与非线性光学性质的研究
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纳米Si-SiN_X复合薄膜发光与非线性光学性质的研究
论文目录
 
摘要第1-3 页
Abstract第3-8 页
前言第8-11 页
第一章 硅基薄膜材料概述第11-17 页
　　· 硅基材料的研究意义第11-12 页
　　· 硅基纳米薄膜材料的研究进展第12-14 页
　　　　· 硅基发光材料的研究进展第12-13 页
　　　　· 硅基纳米材料非线性光学研究进展第13-14 页
　　· 本课题研究工作思路第14-16 页
　　· 本章小结第16-17 页
第二章 硅基薄膜材料的光学理论基础第17-24 页
　　· 硅基纳米薄膜材料光致发光机理第17-19 页
　　　　· 量子限制发光模型第17-18 页
　　　　· 表面态模型第18 页
　　　　· 缺陷发光模型第18 页
　　　　· 量子限制效应—发光中心发光模型第18-19 页
　　· 半导体材料的光学非线性理论简述第19-23 页
　　　　· 非线性光学机制第19-20 页
　　　　· 非线性折射率第20-21 页
　　　　· 非线性吸收第21-22 页
　　　　· 半导体纳米晶的三阶非线性增强机制第22-23 页
　　· 本章小结第23-24 页
第三章 薄膜的制备工艺及表征第24-40 页
　　· 射频磁控反应溅射镀膜的基本原理第24-27 页
　　　　· 射频磁控原理与特性第24-26 页
　　　　· 反应溅射原理与特性第26-27 页
　　· 实验装置第27 页
　　· 工艺流程第27-30 页
　　　　· 基片和靶材的准备及清洗第27-28 页
　　　　· 溅射镀 SiN_x 薄膜的详细操作程序第28-29 页
　　　　· 退火处理过程第29-30 页
　　· 薄膜制备工艺参数第30-31 页
　　· 薄膜制备工艺规律第31-38 页
　　　　· 工艺参数对沉积速率的关系第31-33 页
　　　　　　· 溅射时间t 与沉积速率的关系第31 页
　　　　　　· 氩气流量、氮气流量与沉积速率的关系第31-32 页
　　　　　　· 溅射功率与沉积速率的关系第32-33 页
　　　　· 工艺参数对薄膜组分结构的关系第33-38 页
　　　　　　· 工作气体流量及溅射功率对薄膜组分的关系第33 页
　　　　　　· 红外谱研究薄膜的化学结构第33-34 页
　　　　　　· 薄膜中纳米晶硅的形成与相关工艺参量间的关系第34-37 页
　　　　　　· 薄膜的表面形貌第37-38 页
　　· 本章小结第38-40 页
第四章 薄膜的光吸收及光发射特性研究第40-50 页
　　· 薄膜的光吸收及带隙第40-43 页
　　　　· 薄膜的紫外可见谱测试第40 页
　　　　· 实验结果第40-43 页
　　　　　　· 流量比R 对薄膜光吸收及带隙的影响第40-42 页
　　　　　　· 退火温度对薄膜光吸收及带隙的影响第42-43 页
　　　　· 分析讨论第43 页
　　· 薄膜的光致发光特性第43-49 页
　　　　· 实验测试第43-44 页
　　　　· 实验结果第44-46 页
　　　　　　· 在265nm 光激发下的发光特征第44-45 页
　　　　　　· 在510nm 光激发下的发光特征第45-46 页
　　　　· 光致发光机制讨论第46-49 页
　　· 本章小结第49-50 页
第五章 薄膜的三阶光学非线性研究第50-63 页
　　· 单光束Z－扫描的基本理论第50-54 页
　　　　· Z－扫描的描述第50-51 页
　　　　· 单光束 Z-扫描的测量原理第51-52 页
　　　　· 计算方法第52-54 页
　　· 薄膜的三阶光学非线性特征第54-61 页
　　　　· 样品制备及测试第54-55 页
　　　　· 非线性Z 扫描实验研究第55-61 页
　　　　　　· 1064nm 激光下的非线性光学特征第56-58 页
　　　　　　· 532nm 激光下的非线性光学特征第58-59 页
　　　　　　· 分析讨论第59-61 页
　　· 本章小结第61-63 页
第六章 纳米硅镶嵌氮化硅薄膜被动调Q 特性研究第63-67 页
　　· nc-Si/SiN_X 薄膜的制备及测试第63 页
　　· 调Q 实验研究第63-66 页
　　　　· 实验装置第63-64 页
　　　　· 结果与分析第64-66 页
　　　　　　· 样品结构特性对调Q 激光脉冲的影响第64-65 页
　　　　　　· 抽运电压对调Q 激光脉冲的影响第65-66 页
　　　　　　· 激光器腔长L 对调Q 激光脉冲的影响第66 页
　　· 本章小结第66-67 页
总结第67-68 页
参考文献第68-72 页
附录第72-73 页
致谢第73页

本篇论文共73页，点击这进入下载页面。
 
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