CsMgX3（X=Cl,Br,I）中掺V～（2+）的自旋哈密顿参量的理论研究 |
论文目录 | | | 第一章 绪论 | 第10-13
页 | | · 研究目的及意义 | 第10
页 | | · 国内外研究现状 | 第10-12
页 | | · CsMgX_3（X=Cl,Br,I）中V~(2+)离子自旋哈密顿参量的研究 | 第11
页 | | · MX_2(M=Cd,Pb;X=Br,I)：V~(2+)的g 因子和零场分裂研究 | 第11
页 | | · KBr 中四角的V~(2+)中心的缺陷结构研究 | 第11-12
页 | | · 本文的主要研究内容 | 第12-13
页 | | 第二章 晶体场和电子顺磁共振的基本理论 | 第13-29
页 | | · 晶体场理论 | 第13-23
页 | | · 基本假设 | 第13-15
页 | | · 晶场耦合图象 | 第15-18
页 | | · 晶场能级分裂 | 第18-19
页 | | · 能量矩阵的建立和晶场矩阵元的计算 | 第19-20
页 | | · 晶场参量的计算 | 第20-22
页 | | · 不可约张量算符方法 | 第22-23
页 | | · Winger-Eckart 定理 | 第23
页 | | · 电子顺磁共振基本理论 | 第23-28
页 | | · 电子顺磁共振简介 | 第23-24
页 | | · EPR 基本原理 | 第24-25
页 | | · 线型与线宽 | 第25-26
页 | | · 电子顺磁共振谱的描述：自旋哈密顿参量 | 第26-27
页 | | · 电子顺磁共振的自旋哈密顿理论 | 第27-28
页 | | · 八面体场中3d~3离子自旋哈密顿参量的研究现状和本文的思路 | 第28-29
页 | | 第三章 八面体晶场中3d~3离子自旋哈密顿参量的理论研究 | 第29-48
页 | | · 八面体晶场中3d~3离子的自旋哈密顿参量理论 | 第29-36
页 | | · Macfarlane 传统公式 | 第30
页 | | · 基于离子簇模型的公式 | 第30-32
页 | | · 考虑配体s 轨道贡献的改进公式 | 第32-36
页 | | · 应用 | 第36-48
页 | | · 立方对称：CsMgX:V~(2+)(X=Cl,Br,I) | 第36-39
页 | | · MX(M=Cd,Pb;X=Cl,I)中 V~(2+)离子自旋哈密顿参量的研究 | 第39-45
页 | | · KBr 中四角 V~(2+)中心自旋哈密顿参量的研究 | 第45-48
页 | | 第四章 主要结论 | 第48-49
页 | | 致谢 | 第49-50
页 | | 参考文献 | 第50-57
页 | | 作者攻硕期间取得的成果 | 第57
页 |
|
|
|
