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MOS集成电路可靠性保障数据应用研究
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MOS集成电路可靠性保障数据应用研究
论文目录
 
摘要第1-6 页
Abstract第6-7 页
目录第7-9 页
1 绪论第9-14 页
　　· 选题背景与研究目的第9-10 页
　　· 基本理论第10-13 页
　　　　· 集成电路的寿命周期特征第10-11 页
　　　　· 集成电路可靠性保障数据技术第11-13 页
　　· 本论文要研究和解决的问题第13-14 页
2 集成电路可靠性保障数据技术的基本理论第14-36 页
　　· 环境应力筛选第14-19 页
　　　　· 环境应力筛选的原理和作用第14 页
　　　　· 集成电路筛选的一般方法第14-15 页
　　　　· 集成电路筛选方法的调整第15-18 页
　　　　· 老化技术第18-19 页
　　· 测试技术第19-23 页
　　　　· 工艺参数的测试技术第19-21 页
　　　　· 电路的测试技术第21-22 页
　　　　· 测试的可靠性第22-23 页
　　· 数据分析评价技术第23-29 页
　　　　· 元器件的质量和成品率的关系第23 页
　　　　· 元器件的质量保证和评价技术第23-29 页
　　· 半导体器件的失效分析第29-32 页
　　　　· 半导体器件失效分析的一般程序第29-30 页
　　　　· 半导体器件的失效模式第30-31 页
　　　　· 半导体器件的失效机理第31-32 页
　　· 可靠性增长数据技术第32-36 页
　　　　· 可靠性增长第32-33 页
　　　　· 可靠性增长试验技术第33-35 页
　　　　· 可靠性增长模型第35-36 页
3. 老化和测试技术的结合第36-42 页
　　· 系统原理框图第36-37 页
　　· TM老化监测系统的设计第37-38 页
　　· 对TM集成电路的老化监测第38-40 页
　　· 老化过程中动态监测的优点第40-41 页
　　· 小结第41-42 页
4. TM集成电路测试系统的设计第42-47 页
　　· TM电路的测试原理框图第42 页
　　· 电路的参数测试第42-46 页
　　　　· 静态电流的测试第42-43 页
　　　　· 输入端DT，CP，FS，FP，INH，IN的漏电流的测试第43-44 页
　　　　· 输出端电流及长短复位信号LP，SP的时序测量第44 页
　　　　· 分频输出端G27的测试第44-45 页
　　　　· 电路擦写功能及擦写脉冲的测试第45-46 页
　　· 小结第46-47 页
5. 数据技术在MOS集成电路工艺控制中的应用第47-57 页
　　· 器件的原理第47-48 页
　　· TM的工艺过程第48 页
　　· 工艺参数测试第48-49 页
　　· 工序能力的评价第49-52 页
　　　　· 薄栅工序能力评价第49-51 页
　　　　· MNOS管关键参数评价第51-52 页
　　· 进行PDA控制第52 页
　　· 根据电路原理建立故障树第52-53 页
　　· 典型失效分析第53-55 页
　　　　· 典型失效现象第53-54 页
　　　　· 原因分析第54 页
　　　　· 失效验证第54-55 页
　　· TM集成电路的抗静电保护设计和控制第55-57 页
　　　　· 抗静电保护设计第55 页
　　　　· 工艺控制采取的措施第55-56 页
　　　　· 工艺可靠性设计第56 页
　　　　· 电路转运和试验过程中的静电防护第56 页
　　　　· 结果第56-57 页
6. TM集成电路可靠性增长试验与评估第57-63 页
　　· 试验的目的第57 页
　　· 模型选取第57 页
　　· 试验的方法第57-58 页
　　· 试验与评估第58-61 页
　　　　· 分析改进第58-59 页
　　　　· 纠正措施第59-61 页
　　　　· 试验与评估第61 页
　　· 结论第61-63 页
致谢第63-64 页
参考文献第64-66 页

本篇论文共66页，点击这进入下载页面。
 
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