MOS集成电路可靠性保障数据应用研究
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MOS集成电路可靠性保障数据应用研究
论文目录
摘要
第1-6 页
Abstract
第6-7 页
目录
第7-9 页
1 绪论
第9-14 页
· 选题背景与研究目的
第9-10 页
· 基本理论
第10-13 页
· 集成电路的寿命周期特征
第10-11 页
· 集成电路可靠性保障数据技术
第11-13 页
· 本论文要研究和解决的问题
第13-14 页
2 集成电路可靠性保障数据技术的基本理论
第14-36 页
· 环境应力筛选
第14-19 页
· 环境应力筛选的原理和作用
第14 页
· 集成电路筛选的一般方法
第14-15 页
· 集成电路筛选方法的调整
第15-18 页
· 老化技术
第18-19 页
· 测试技术
第19-23 页
· 工艺参数的测试技术
第19-21 页
· 电路的测试技术
第21-22 页
· 测试的可靠性
第22-23 页
· 数据分析评价技术
第23-29 页
· 元器件的质量和成品率的关系
第23 页
· 元器件的质量保证和评价技术
第23-29 页
· 半导体器件的失效分析
第29-32 页
· 半导体器件失效分析的一般程序
第29-30 页
· 半导体器件的失效模式
第30-31 页
· 半导体器件的失效机理
第31-32 页
· 可靠性增长数据技术
第32-36 页
· 可靠性增长
第32-33 页
· 可靠性增长试验技术
第33-35 页
· 可靠性增长模型
第35-36 页
3. 老化和测试技术的结合
第36-42 页
· 系统原理框图
第36-37 页
· TM老化监测系统的设计
第37-38 页
· 对TM集成电路的老化监测
第38-40 页
· 老化过程中动态监测的优点
第40-41 页
· 小结
第41-42 页
4. TM集成电路测试系统的设计
第42-47 页
· TM电路的测试原理框图
第42 页
· 电路的参数测试
第42-46 页
· 静态电流的测试
第42-43 页
· 输入端DT,CP,FS,FP,INH,IN的漏电流的测试
第43-44 页
· 输出端电流及长短复位信号LP,SP的时序测量
第44 页
· 分频输出端G27的测试
第44-45 页
· 电路擦写功能及擦写脉冲的测试
第45-46 页
· 小结
第46-47 页
5. 数据技术在MOS集成电路工艺控制中的应用
第47-57 页
· 器件的原理
第47-48 页
· TM的工艺过程
第48 页
· 工艺参数测试
第48-49 页
· 工序能力的评价
第49-52 页
· 薄栅工序能力评价
第49-51 页
· MNOS管关键参数评价
第51-52 页
· 进行PDA控制
第52 页
· 根据电路原理建立故障树
第52-53 页
· 典型失效分析
第53-55 页
· 典型失效现象
第53-54 页
· 原因分析
第54 页
· 失效验证
第54-55 页
· TM集成电路的抗静电保护设计和控制
第55-57 页
· 抗静电保护设计
第55 页
· 工艺控制采取的措施
第55-56 页
· 工艺可靠性设计
第56 页
· 电路转运和试验过程中的静电防护
第56 页
· 结果
第56-57 页
6. TM集成电路可靠性增长试验与评估
第57-63 页
· 试验的目的
第57 页
· 模型选取
第57 页
· 试验的方法
第57-58 页
· 试验与评估
第58-61 页
· 分析改进
第58-59 页
· 纠正措施
第59-61 页
· 试验与评估
第61 页
· 结论
第61-63 页
致谢
第63-64 页
参考文献
第64-66 页
本篇论文共
66
页,
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