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MOS集成电路可靠性保障数据应用研究

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MOS集成电路可靠性保障数据应用研究
论文目录
 
摘要第1-6 页
Abstract第6-7 页
目录第7-9 页
1 绪论第9-14 页
  · 选题背景与研究目的第9-10 页
  · 基本理论第10-13 页
    · 集成电路的寿命周期特征第10-11 页
    · 集成电路可靠性保障数据技术第11-13 页
  · 本论文要研究和解决的问题第13-14 页
2 集成电路可靠性保障数据技术的基本理论第14-36 页
  · 环境应力筛选第14-19 页
    · 环境应力筛选的原理和作用第14 页
    · 集成电路筛选的一般方法第14-15 页
    · 集成电路筛选方法的调整第15-18 页
    · 老化技术第18-19 页
  · 测试技术第19-23 页
    · 工艺参数的测试技术第19-21 页
    · 电路的测试技术第21-22 页
    · 测试的可靠性第22-23 页
  · 数据分析评价技术第23-29 页
    · 元器件的质量和成品率的关系第23 页
    · 元器件的质量保证和评价技术第23-29 页
  · 半导体器件的失效分析第29-32 页
    · 半导体器件失效分析的一般程序第29-30 页
    · 半导体器件的失效模式第30-31 页
    · 半导体器件的失效机理第31-32 页
  · 可靠性增长数据技术第32-36 页
    · 可靠性增长第32-33 页
    · 可靠性增长试验技术第33-35 页
    · 可靠性增长模型第35-36 页
3. 老化和测试技术的结合第36-42 页
  · 系统原理框图第36-37 页
  · TM老化监测系统的设计第37-38 页
  · 对TM集成电路的老化监测第38-40 页
  · 老化过程中动态监测的优点第40-41 页
  · 小结第41-42 页
4. TM集成电路测试系统的设计第42-47 页
  · TM电路的测试原理框图第42 页
  · 电路的参数测试第42-46 页
    · 静态电流的测试第42-43 页
    · 输入端DT,CP,FS,FP,INH,IN的漏电流的测试第43-44 页
    · 输出端电流及长短复位信号LP,SP的时序测量第44 页
    · 分频输出端G27的测试第44-45 页
    · 电路擦写功能及擦写脉冲的测试第45-46 页
  · 小结第46-47 页
5. 数据技术在MOS集成电路工艺控制中的应用第47-57 页
  · 器件的原理第47-48 页
  · TM的工艺过程第48 页
  · 工艺参数测试第48-49 页
  · 工序能力的评价第49-52 页
    · 薄栅工序能力评价第49-51 页
    · MNOS管关键参数评价第51-52 页
  · 进行PDA控制第52 页
  · 根据电路原理建立故障树第52-53 页
  · 典型失效分析第53-55 页
    · 典型失效现象第53-54 页
    · 原因分析第54 页
    · 失效验证第54-55 页
  · TM集成电路的抗静电保护设计和控制第55-57 页
    · 抗静电保护设计第55 页
    · 工艺控制采取的措施第55-56 页
    · 工艺可靠性设计第56 页
    · 电路转运和试验过程中的静电防护第56 页
    · 结果第56-57 页
6. TM集成电路可靠性增长试验与评估第57-63 页
  · 试验的目的第57 页
  · 模型选取第57 页
  · 试验的方法第57-58 页
  · 试验与评估第58-61 页
    · 分析改进第58-59 页
    · 纠正措施第59-61 页
    · 试验与评估第61 页
  · 结论第61-63 页
致谢第63-64 页
参考文献第64-66 页

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