应用于无线局域网的硅基射频功率放大器的设计



应用于无线局域网的硅基射频功率放大器的设计

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应用于无线局域网的硅基射频功率放大器的设计

论文目录
摘要	第11-12页
ABSTRACT	第12-14页
第1章绪论	第14-22页
1.1 前言	第14-15页
1.2 功率放大器在无线通信系统中的地位	第15-17页
1.3 功率放大器芯片制造工艺	第17-18页
1.4 国内外研究现状	第18-21页
1.4.1 SiGe BiCMOS功率放大器研究现状	第18-20页
1.4.2 SOI CMOS功率放大器研究现状	第20-21页
1.5 论文主要研究内容和组织结构	第21-22页
第2章射频功率放大器设计理论	第22-43页
2.1 功率放大器性能指标	第22-27页
2.1.1 输出功率	第22-23页
2.1.2 效率	第23-24页
2.1.3 线性度	第24-27页
2.1.4 增益	第27页
2.2 WLAN系统指标	第27-30页
2.2.1 误差矢量幅度	第28-29页
2.2.2 发射频谱掩膜	第29-30页
2.3 功率匹配技术	第30-32页
2.4 功率放大器的仿真	第32-38页
2.4.1 直流仿真	第32-33页
2.4.2 小信号S参数仿真	第33-34页
2.4.3 谐波平衡仿真	第34-35页
2.4.4 托勒密仿真	第35-37页
2.4.5 电磁仿真	第37-38页
2.5 功率放大器设计中几个重要问题讨论	第38-43页
2.5.1 增益膨胀现象分析	第38-41页
2.5.2 AM-AM效应对EVM的影响	第41-43页
第3章基于SiGe BiCMOS工艺的功率放大器设计	第43-60页
3.1 SiGe BiCMOS工艺和器件	第43-45页
3.1.1 SiGe HBT器件原理简介	第43-45页
3.1.2 工艺说明	第45页
3.2 功率放大器设计指标	第45页
3.3 电路设计	第45-56页
3.3.1 晶体管的选取	第46页
3.3.2 晶体管尺寸的选取	第46-48页
3.3.3 稳定性考虑	第48-50页
3.3.4 单级放大电路设计	第50-53页
3.3.5 匹配电路设计	第53-55页
3.3.6 偏置电路	第55-56页
3.4 版图设计和后仿真结果	第56-60页
第4章基于SOI CMOS工艺的WLAN功率放大器设计	第60-69页
4.1 SOI CMOS工艺介绍	第60-61页
4.2 CMOS功率放大器设计挑战	第61页
4.3 自适应偏置电路设计	第61-66页
4.4 SOI CMOS工艺功率放大器设计	第66-67页
4.5 版图设计和仿真结果	第67-69页
第5章功率放大器芯片的测试和调试	第69-78页
5.1 芯片测试平台的搭建	第69-72页
5.1.1 测试PCB板的设计	第69-71页
5.1.2 测试工具和软件	第71-72页
5.2 SiGe BiCMOS工艺功率放大器芯片的测试	第72-75页
5.3 SOI CMOS工艺功率放大器的测试和分析	第75-78页
第6章总结与展望	第78-80页
6.1 工作成果总结	第78-79页
6.2 工作展望	第79-80页
参考文献	第80-85页
致谢	第85-86页
攻读学位期间发表的学术论文目录	第86-87页
附件	第87页

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