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新型半导体材料特性的光学检测技术研究

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新型半导体材料特性的光学检测技术研究
论文目录
 
致谢第1-5页
摘要第5-7页
ABSTRACT第7-12页
第1章 绪论第12-27页
  · 课题研究背景第12-13页
  · 半导体材料的载流子复合和扩散第13-18页
    · 载流子体复合第13-15页
    · 表面复合第15-16页
    · 载流子扩散第16-17页
    · 载流子有效寿命第17-18页
  · 半导体材料特性的检测技术第18-25页
    · 传统的光电检测技术第19-20页
    · 基于光声光热效应的检测技术第20-22页
    · 光载流子辐射检测技术发展现状第22-24页
    · 自由载流子吸收检测技术发展现状第24-25页
  · 本论文主要研究内容第25-27页
第2章 准时域光生载流子辐射和自由载流子吸收检测技术第27-36页
  · 引言第27页
  · 光载流子辐射和调制自由载流子吸收模型第27-30页
    · 载流子产生复合的线性机制第28-29页
    · PCR 和 MFCA 信号第29-30页
  · 准时域 PCR 和 MFCA 检测技术第30-36页
    · 频域到准时域的理论模型第30-32页
    · PCR 和 MFCA 联合实验系统第32-33页
    · 准时域 PCR 和 MFCA 信号验证分析第33-36页
  · 本章小结第36页
第3章 光生载流子辐射技术对离子注入退火样品的研究第36-53页
  · 引言第36-37页
  · 不同探测深度的线性准时域光生载流子技术第37-41页
    · 准时域 PCR 的测量第37-39页
    · 样品设计及不同深度 PCR 测量第39-41页
  · PCR 技术在离子注入退火样品中的应用第41-52页
    · PCR 频率扫描曲线和准时域曲线的对应关系第41-44页
    · 830nm 激发下不同剂量 B~+、P~+和 As~+离子注入样品的综合分析第44-45页
    · 830nm 激发下 B~+、P~+和 As~+离子不同注入能量样品的综合分析第45-47页
    · 830nm 激发下 As~+离子注入不同退火温度样品的综合分析第47-49页
    · 405nm 激发下不同剂量 B~+、P~+和 As~+离子注入样品的综合分析第49-51页
    · 405nm 激发下 B~+、P~+和 As~+离子不同注入能量样品的综合分析第51-52页
  · 本章小结第52-53页
第4章 新型半导体材料特性的光生载流子辐射检测第53-67页
  · 引言第53-54页
  · 前后表面收集的 PCR 信号成份分析实验系统第54-55页
  · 超浅结(USJ)样品的光学检测第55-61页
    · 超浅结样品的 PL 测量第56-57页
    · 硅材料基底的带边吸收曲线计算第57-59页
    · 超浅结样品的 PCR 测量第59-61页
  · 绝缘上硅(SOI)样品的光学检测第61-66页
    · 绝缘上硅样品的 PL 测量第61-65页
    · 绝缘上硅样品的 PCR 测量第65-66页
  · 本章小结第66-67页
第5章 三维时域自由载流子吸收检测技术第67-82页
  · 引言第67页
  · 三维时域自由载流子吸收模型第67-74页
    · 三维时域光生载流子密度方程推导第68-71页
    · 无限方波脉冲调制的初值问题第71-72页
    · 三维时域自由载流子吸收模型第72-74页
  · 三维时域自由载流子吸收模型仿真第74-77页
    · 载流子寿命对-S_(MFCA)信号的影响第74-75页
    · 载流子扩散系数对-S_(MFCA)信号的影响第75-76页
    · 前表面复合速度对-S_(MFCA)信号的影响第76页
    · 激发光和探测光束腰半径对-S_(MFCA)信号的影响第76-77页
  · 三维时域自由载流子吸收模型测量不同电阻率样品第77-80页
    · 不同电阻率样品测量第77-78页
    · 测量结果及分析第78-80页
  · 本章小结第80-82页
第6章 总结和展望第82-85页
  · 论文主要工作第82-83页
  · 论文创新点第83页
  · 存在问题第83-84页
  · 对后续工作的建议第84-85页
参考文献第85-93页
附录 A 三维时域自由载流子吸收模型的系数表达式第93-95页
作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果第95 页

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