半导体异质结构中电子隧穿寿命的研究
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半导体异质结构中电子隧穿寿命的研究
论文目录
摘要
第1-5页
ABSTRACT
第5-8页
第一章 绪论
第8-11页
§· 国内外研究概况
第8-10页
§· 主要研究内容与论文安排
第10-11页
第二章 非对称双量子阱异质结构中电子的隧穿寿命
第11-19页
§· 理论模型与计算
第11-15页
§· 结果与讨论
第15-17页
§· 结论
第17-19页
第三章 非对称双量子阱结构中电子的自旋极化隧穿研究
第19-27页
§· 理论模型与计算
第19-21页
§· 结果与讨论
第21-26页
§· 结论
第26-27页
参考文献
第27-30页
致谢
第30-31页
攻读硕士学位期间完成的文章
第31页
本篇论文共
31
页,
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。
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