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75V沟槽型功率MOSFET的特性研究
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75V沟槽型功率MOSFET的特性研究
论文目录
 
摘要第1-7页
Abstract第7-11页
第1章 绪论第11-17页
　　· POWER MOSFET研究意义第11-12页
　　· POWER MOSFET的发展背景和现状第12-15页
　　　　· 横向双扩散MOS的发展背景和现状第12-13页
　　　　· 垂直结构功率MOS发展背景和现状第13-15页
　　· 本文的主要工作与安排第15-17页
第2章 UMOS的相关原理和参数第17-28页
　　· UMOS工作原理第17-18页
　　· UMOS的主要参数第18-27页
　　　　· 阈值电压(V_(th))第18页
　　　　· 导通电阻(R_(on))第18-21页
　　　　· 击穿电压(BV)第21-23页
　　　　· 电容特性第23-25页
　　　　· 栅电荷第25-26页
　　　　· 安全工作区(SOA)第26页
　　　　· UMOS的优值(FOM)第26-27页
　　· 本章小结第27-28页
第3章 75V UMOS的研究与仿真第28-44页
　　· UMOS的仿真工具及流程第28-31页
　　· 掺杂剂量、注入能量和退火时间对体区结深的影响第31-34页
　　　　· Pbody掺杂剂量对结深的影响第31-32页
　　　　· 注入能量对结深的影响第32-33页
　　　　· 退火时间对结深的影响第33-34页
　　· 体区结深对器件性能的影响第34-36页
　　· 沟槽式接触孔的深度对UMOS性能的影响第36-42页
　　· 本章小结第42-44页
第4章 75V UMOS体区的优化与仿真第44-52页
　　· UMOS导通电阻优化方式第44-45页
　　· 75VUMOS体区的优化设计与仿真第45-51页
　　· 本章小结第51-52页
第5章 浅结结构的研究与优化第52-64页
　　· 75VUMOS浅结的研究第52页
　　· 75VUMOS普通浅结优化模型第52-58页
　　· 75VUMOS源极沟槽采用接触金属的浅结模型第58-63页
　　· 本章小结第63-64页
结论与未来的工作第64-65页
致谢第65-66页
参考文献第66-70页
攻读硕士学位期间发表的论文第70 页

本篇论文共70页，点击这进入下载页面。
 
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