亚微米级MOSFET器件模型分析及BSIM模型参数提取



亚微米级MOSFET器件模型分析及BSIM模型参数提取

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亚微米级MOSFET器件模型分析及BSIM模型参数提取

论文目录
摘要	第1-6页
Abstract	第6-10页
第1章绪论	第10-14页
1.1 课题背景及研究意义	第10-11页
1.2 MOSFET电势模型的研究概况	第11-13页
1.3 论文的主要工作	第13-14页
第2章伯克利短沟阈值电压模型和电压-掺杂转换模型	第14-23页
2.1 伯克利短沟阈值电压模型	第14-18页
2.2 电压-掺杂转换模型	第18-22页
2.2.1 电压与掺杂浓度的转换	第18-20页
2.2.2 耗尽层厚度的计算	第20-22页
2.3 本章小结	第22-23页
第3章 MOSFET二维电势模型	第23-32页
3.1 二维单区电势模型	第24-26页
3.2 二维双区电势模型	第26-29页
3.3 伯克利短沟阈值电压模型的二维拓展	第29-31页
3.4 本章小结	第31-32页
第4章 MOSFET模型的精准性比较	第32-44页
4.1 特征函数展开项数的影响	第32-33页
4.2 平均误差	第33-34页
4.3 单区和双区电势模型的比较	第34-37页
4.3.1 源漏边界条件的偏差分析	第34-36页
4.3.2 SCE与DIBL效应下阈值电压的计算	第36-37页
4.4 模型精确度的比较与分析	第37-43页
4.4.1 模型误差的比较	第37-40页
4.4.2 基于亚阈值斜率的模型比较	第40-43页
4.5 本章小结	第43-44页
第5章 BSIM模型参数的提取转换	第44-53页
5.1 BSIM模型的发展及特点	第44-45页
5.2 基因算法的应用	第45-48页
5.3 参数的提取转换	第48-51页
5.4 本章小结	第51-53页
第6章结论与展望	第53-55页
6.1 结论	第53页
6.2 展望	第53-55页
参考文献	第55-59页
攻读硕士学位期间发表的论文及其他成果	第59-60页
致谢	第60页

本篇论文共60页，点击这进入下载页面。

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