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具有光电倍增效应的C60基光电探测器研究

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具有光电倍增效应的C60基光电探测器研究
论文目录
 
摘要第1-6页
ABSTRACT第6-11页
第一章 绪论第11-30页
  · 本课题研究意义第11-12页
  · 无机光电倍增概述第12-16页
  · 有机光电倍增研究进展第16-29页
    · 聚合物基光电倍增器件第16-20页
    · 纳米无机颗粒辅助聚合物半导体基光电倍增器件第20-21页
    · 有机小分子基光电倍增器件第21-29页
  · 本论文主要研究内容第29-30页
第二章 C60基光电探测器的制备和性能表征第30-43页
  · 光电探测器的性能参数第30-33页
    · 可探测光谱范围第30页
    · 量子效率第30-31页
    · 光谱响应率第31页
    · 噪声第31-32页
    · 探测率第32页
    · 响应时间第32页
    · 光暗电流之比第32-33页
  · C60基光电探测器的制备第33-34页
    · C60基光电探测器的结构第33页
    · C60基光电探测器的制作流程第33-34页
  · C60基光电探测器的性能表征第34-40页
    · 器件的外量子效率(EQE)第34-35页
    · 器件的响应时间第35-36页
    · 器件的Ⅰ-Ⅴ测试第36-37页
    · 最佳C60基光电探测器的性能第37-40页
  · C60基光电探测器的运行机理第40-43页
第三章 C60基光电探测器光电倍增机制研究第43-56页
  · 器件活性层厚度对器件性能的影响第43-46页
  · 不同功函的电极对器件性能的影响第46-49页
  · 在器件界面处插入P3HT薄层对器件性能的影响第49-55页
  · 本章小结第55-56页
第四章 C60基光电探测器关键制备工艺研究第56-64页
  · ITO修饰层的退火处理第56-58页
  · C60蒸发沉积速率的快慢及稳定性第58-60页
  · 高导PEDOT:PSS与低导PEDOT:PSS的选择第60-63页
  · 本章小结第63-64页
第五章 全文总结与展望第64-66页
参考文献第66-72页
致谢第72-74页
攻读学位期间发表的学术论文第74 页

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