论文目录 | |
摘要 | 第1-7页 |
abstract | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第11-18页 |
1.1 表面等离子体激元概述 | 第11-16页 |
1.1.1 表面等离子体激元的最新进展 | 第12-14页 |
1.1.2 表面等离子体激元的激励 | 第14-16页 |
1.2 Smith-Purcell辐射 | 第16页 |
1.3 本文的选题依据与主要内容 | 第16-18页 |
第二章 平行电子束激励金属薄膜和微纳周期结构 | 第18-39页 |
2.1 平行运动电子束的投射场 | 第18-20页 |
2.2 平行电子束激励金属薄膜结构 | 第20-26页 |
2.2.1 数值与模拟分析 | 第22-24页 |
2.2.2 CST模拟分析 | 第24-26页 |
2.3 平行电子束激励PEC光栅结构 | 第26-38页 |
2.3.1 数值计算和CST模拟分析 | 第27-38页 |
2.3.1.1 光栅周期对Smith-Purcell辐射的影响 | 第31-34页 |
2.3.1.2 光栅间隙深度对Smith-Purcell辐射的影响 | 第34-35页 |
2.3.1.3 光栅的占空比对Smith-Purcell辐射的影响 | 第35-36页 |
2.3.1.4 电子束能量对Smith-Purcell辐射的影响 | 第36-38页 |
2.4 本章小结 | 第38-39页 |
第三章 利用表面等离子体激元增强金属光栅结构的SMITH-PURCELL | 第39-52页 |
3.1 物理机制 | 第39-41页 |
3.2 利用SPPs增强Smith-Purcell | 第41-47页 |
3.2.1 PEC光栅与光栅对比实验 | 第41-45页 |
3.2.2 角度分析 | 第45-46页 |
3.2.3 SPPs增强Smith-Purcell辐射的有效性 | 第46-47页 |
3.3 影响SPPs增强Smith-Purcell辐射的因素 | 第47-50页 |
3.3.1 平行电子束激励不同深度的金光栅 | 第47-48页 |
3.3.2 平行电子束激励不同周期的金光栅 | 第48-49页 |
3.3.3 平行电子束激励不同占空比的金光栅 | 第49-50页 |
3.3.4 不同电压的平行电子束激励金光栅 | 第50页 |
3.4 本章小结 | 第50-52页 |
第四章 实验分析电子束激励金属光栅结构 | 第52-64页 |
4.1 实验原理 | 第52页 |
4.2 实验设备和光栅结构 | 第52-55页 |
4.2.1 SEM扫描电镜 | 第52-53页 |
4.2.2 傅里叶变换光谱仪 | 第53-54页 |
4.2.3 束流测量设备 | 第54-55页 |
4.2.4 光栅结构 | 第55页 |
4.3 实验方案 | 第55-56页 |
4.3.1 实验步骤 | 第55-56页 |
4.4 实验结果 | 第56-62页 |
4.4.1 误差干扰排除 | 第56-58页 |
4.4.2 电子束流的测量 | 第58-59页 |
4.4.3 热辐射效应的排除 | 第59-60页 |
4.4.4 平行激励结果 | 第60-62页 |
4.5 小结 | 第62-64页 |
第五章 总结与展望 | 第64-66页 |
致谢 | 第66-67页 |
参考文献 | 第67-69页 |