65nm产品失效分析方法及良率的提升



65nm产品失效分析方法及良率的提升

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65nm产品失效分析方法及良率的提升

论文目录
摘要	第1-4 页
Abstract	第4-7 页
第一章引言	第7-14 页
· IC 业界发展趋势	第7-9 页
· IC 企业强化纵向协作	第7-8 页
· 低功耗是业界关注焦点	第8 页
· 厂商策略---着力提升产能与技术	第8-9 页
· 影响65 纳米制造良率的因素及改善方法	第9-14 页
· 65nm 节点三大关键良率影响因素	第10-11 页
· 由光刻敏感性引起的良率损失	第10 页
· 晶圆平整度导致良率损失	第10-11 页
· 随机微粒引起良率损失	第11 页
· 创建高良率设计	第11-14 页
· 校正光刻敏感性引起良率损失	第11-12 页
· 校正晶圆平整度引起良率损失	第12-13 页
· 校正随机微粒缺陷引起良率损失	第13-14 页
第二章产品研发初期低良率的提升	第14-24 页
· FBC 分析方法的应用	第14-16 页
· 利用扫描电镜(SEM) 分析失效原因	第16-24 页
第三章随机微粒缺陷的降低以提升良率	第24-36 页
· Smear defect（污迹随机微粒缺陷）	第25-30 页
· Offset Nitride PD(Offest Nitride 上的随机微粒缺陷)	第30-33 页
· 1870 by shot block fail(有by shot 状况的失效分析)	第33-36 页
第四章 Vccmin 低工作电压的改善	第36-49 页
· 解决 Ioff 散点的问题	第36-37 页
· 调整器件和工艺参数解决读的问题	第37-47 页
· 纳米 CMOS 技术挑战 SRAM 稳定性	第37-40 页
· VT 变化影响读稳定性	第38-39 页
· VT 变化影响写稳定性	第39-40 页
· SNM 的提高以解决local dismatch	第40-46 页
· VDSM SRAM 存储单元 SNM 解析模型	第41-42 页
· 阈值失配的影响	第42-43 页
· 栅宽的影响	第43-46 页
· 改善器件参数解决roll off 的问题	第46 页
· Nisi 倒“U”字型问题	第46-47 页
· 解决写的问题	第47-49 页
参考文献	第49-50 页
致谢	第50 页

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