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65nm产品失效分析方法及良率的提升

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65nm产品失效分析方法及良率的提升
论文目录
 
摘要第1-4 页
Abstract第4-7 页
第一章 引言第7-14 页
  · IC 业界发展趋势第7-9 页
    · IC 企业强化纵向协作第7-8 页
    · 低功耗是业界关注焦点第8 页
    · 厂商策略---着力提升产能与技术第8-9 页
  · 影响65 纳米制造良率的因素及改善方法第9-14 页
    · 65nm 节点三大关键良率影响因素第10-11 页
      · 由光刻敏感性引起的良率损失第10 页
      · 晶圆平整度导致良率损失第10-11 页
      · 随机微粒引起良率损失第11 页
    · 创建高良率设计第11-14 页
      · 校正光刻敏感性引起良率损失第11-12 页
      · 校正晶圆平整度引起良率损失第12-13 页
      · 校正随机微粒缺陷引起良率损失第13-14 页
第二章 产品研发初期低良率的提升第14-24 页
  · FBC 分析方法的应用第14-16 页
  · 利用扫描电镜(SEM) 分析失效原因第16-24 页
第三章 随机微粒缺陷的降低以提升良率第24-36 页
  · Smear defect(污迹随机微粒缺陷)第25-30 页
  · Offset Nitride PD(Offest Nitride 上的随机微粒缺陷)第30-33 页
  · 1870 by shot block fail(有by shot 状况的失效分析)第33-36 页
第四章 Vccmin 低工作电压的改善第36-49 页
  · 解决 Ioff 散点的问题第36-37 页
  · 调整器件和工艺参数解决读的问题第37-47 页
    · 纳米 CMOS 技术挑战 SRAM 稳定性第37-40 页
      · VT 变化影响读稳定性第38-39 页
      · VT 变化影响写稳定性第39-40 页
    · SNM 的提高以解决local dismatch第40-46 页
      · VDSM SRAM 存储单元 SNM 解析模型第41-42 页
      · 阈值失配的影响第42-43 页
      · 栅宽的影响第43-46 页
    · 改善器件参数解决roll off 的问题第46 页
    · Nisi 倒“U”字型问题第46-47 页
  · 解决写的问题第47-49 页
参考文献第49-50 页
致谢第50 页

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