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光刻工艺中聚酰亚胺层光阻减量和线宽均匀性研究

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光刻工艺中聚酰亚胺层光阻减量和线宽均匀性研究
论文目录
 
摘要第1-4页
Abstract第4-7页
第一章 前言第7-12页
  · 光刻的定义第7-8页
  · 光刻的发展趋势第8-11页
  · 论文工作的主要内容第11-12页
第二章 光刻工艺的概述第12-24页
  · 光刻原理和工艺流程第12-20页
    · 光刻原理第12页
    · 光刻的工艺流程第12-20页
  · 光学原理介绍第20-21页
  · 光刻胶的概述第21-24页
第三章 聚酰亚胺层光阻涂布减量以及膜厚均匀的研究第24-41页
  · 聚酰亚胺层工艺介绍第24-30页
    · 其中涂布显影/曝光的细部介绍第26-29页
    · 显影后检查第29页
    · 光刻返工第29-30页
    · 硬烘烤第30页
  · 涂胶过程的解析分析第30-31页
  · 设备参数与工艺研究第31-40页
    · 影响膜厚的所有参数第31-32页
    · 试验条件参数的选择第32-33页
    · 实验过程和数据采集计划第33-36页
    · 聚酰亚胺层光阻(PIMEL)泵设备介绍第36-40页
  · 小结第40-41页
第四章 步进曝光机对光刻均匀性研究第41-53页
  · 照明均匀性研究第41-46页
    · 曝光系统对照明均匀性的影响因素第41-42页
    · 照明均匀性测试方法第42-44页
    · 照明均匀性的调整第44-46页
      · 汞灯的调整第44-45页
      · 汞灯不在反射镜焦点上第45-46页
  · 调焦系统第46-47页
  · 对准系统第47-52页
    · 自我量测测试介绍第48-49页
    · 尼康的光路对准系统第49-52页
  · 小结第52-53页
第五章 显影处理对光刻线宽均匀性的影响第53-59页
  · 显影工艺处理流程第53-54页
    · CPL 冷板温度与线宽的关系第53页
    · 显影温度与线宽的关系第53-54页
  · 显影均匀性参数的设定与调节第54-58页
    · 概要第54页
    · 硬件调节第54-57页
    · 显影液喷头的类型第57-58页
  · 小结第58-59页
第六章:实验设计和结果第59-77页
  · 试验目标第59页
  · 实验参数的选择第59-62页
    · 影响膜厚的所有参数第59-60页
    · 试验条件参数的选择第60-62页
  · 实验过程和数据采集计划第62-63页
  · 实验结果第63-75页
    · 光阻喷涂重量的确定第63页
    · 调节膜厚的外形第63-70页
    · 聚合反应后最终的光阻厚度变化第70-71页
    · 光刻后的厚度与刻蚀后的厚度关系第71-72页
    · 光刻后线宽的结果第72-75页
  · 小结第75-77页
参考文献第77-79页
致谢第79页

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