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多晶六硼化镧场发射性能研究
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多晶六硼化镧场发射性能研究
论文目录
 
摘要第1-6页
abstract第6-11页
第一章 绪论第11-16页
　　1.1 引言第11页
　　1.2 本文研究的意义第11-12页
　　1.3 场致电子发射的发展历程第12-13页
　　1.4 场发射阴极的研究现状第13-14页
　　　　1.4.1 传统场发射阴极第13页
　　　　1.4.2 六硼化镧场发射阴极研究现状第13-14页
　　1.5 本文的主要工作和内容第14-16页
第二章 场致发射机理及特点第16-21页
　　2.1 金属场致发射第16-19页
　　2.2 半导体场致发射第19页
　　2.3 材料的选择第19-20页
　　2.4 本章小结第20-21页
第三章 大面积多晶六硼化镧场发射阴极的理论设计第21-32页
　　3.1 基本方程第21-22页
　　3.2 场分布的数值模拟第22-25页
　　　　3.2.1 二维差分方程的离散第22-24页
　　　　3.2.2 差分方程的求解第24-25页
　　3.3 场发射阵列的模拟第25-31页
　　　　3.3.1 模拟软件第25页
　　　　3.3.2 模型建立第25-27页
　　　　3.3.3 环状结构发射阴极的计算结果第27-30页
　　　　3.3.4 梳状结构的模拟计算结果第30-31页
　　3.4 本章小结第31-32页
第四章 环状多晶六硼化镧场发射阴极的制备第32-53页
　　4.1 工艺流程设计第32-33页
　　4.2 基片预处理第33-34页
　　　　4.2.1 基片的磨抛第33页
　　　　4.2.2 基片的清洗第33-34页
　　4.3 保护层材料的选择和沉积工艺第34-38页
　　　　4.3.1 氮化硅保护层的沉积方法第34-35页
　　　　4.3.2 氮化硅材料的特性第35页
　　　　4.3.3 实验设备第35页
　　　　4.3.4 沉积速率的测定和均匀性分析第35-38页
　　　　4.3.5 结论第38页
　　4.4 保护层图案化第38-44页
　　　　4.4.1 光刻和刻蚀工艺原理第38-40页
　　　　4.4.2 光刻的工艺流程第40-42页
　　　　4.4.3 干法刻蚀(RIE)的工艺流程第42-44页
　　　　4.4.4 结论第44页
　　4.5 场发射体电化学刻蚀第44-52页
　　　　4.5.1 电化学刻蚀原理及工艺流程第45-47页
　　　　4.5.2 保护层为氮化硅时刻蚀结果分析第47-48页
　　　　4.5.3 保护层为光刻胶时刻蚀结果分析第48-51页
　　　　4.5.4 结论第51-52页
　　4.6 本章小结第52-53页
第五章 梳状多晶六硼化镧场发射阴极的制备第53-57页
　　5.1 电化学刻蚀原理第53页
　　5.2 工艺流程的改进第53页
　　5.3 结果分析第53-56页
　　　　5.3.1 缓蚀剂对发射体形貌的影响第53-55页
　　　　5.3.2 水溶剂对发射体形貌的影响第55页
　　　　5.3.3 电化学刻蚀速率的计算第55-56页
　　5.4 本章小结第56-57页
第六章 多晶六硼化镧场发射性能测试第57-69页
　　6.1 测试对象第57-58页
　　6.2 测试系统第58-60页
　　6.3 场发射特性评价参数第60-61页
　　6.4 测试装置预处理第61-62页
　　　　6.4.1 零部件预处理第61页
　　　　6.4.2 阳极除气第61-62页
　　6.5 测试结果与分析第62-68页
　　　　6.5.1 环状场发射阴极测试结果与分析第62-64页
　　　　6.5.2 梳状场发射阴极测试结果与分析第64-68页
　　6.6 本章小结第68-69页
第七章 总结与展望第69-71页
　　7.1 论文总结第69页
　　7.2 存在的问题和后续研究的展望第69-71页
致谢第71-72页
参考文献第72-76页
攻读硕士学位期间取得的成果第76-77页

本篇论文共77页，点击这进入下载页面。
 
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