半导体纳米结构带隙的应变调制



半导体纳米结构带隙的应变调制

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半导体纳米结构带隙的应变调制

论文目录
摘要	第1-5页
Abstract	第5-9页
第1章导论	第9-17页
· 引言	第9-11页
· 半导体纳米体系材料能带结构的研究概述	第11-14页
· 本论文研究的目的和思路	第14-17页
第2章基本理论	第17-23页
· 引言	第17页
· 核壳模型和应变	第17-20页
· 键长一键能机理和带隙关系	第20-22页
· 本章小结	第22-23页
第3章自平衡应变和SnO_2纳米晶和纳米线的带隙漂移	第23-30页
· 引言	第23-24页
· 理论模型	第24-26页
· 结果和分析	第26-29页
· 本章小结	第29-30页
第4章 ZnSe纳米晶带隙的外场调制：尺寸和温度效应	第30-39页
· 引言	第30-32页
· 理论模型	第32-34页
· 结果和分析	第34-38页
· 本章小结	第38-39页
第5章 Si纳米线带隙的形状效应	第39-48页
· 引言	第39-40页
· 理论模型	第40-43页
· 结果和讨论	第43-47页
· 本章小结	第47-48页
第6章总结和展望	第48-51页
· 总结	第48-49页
· 展望	第49-51页
参考文献	第51-59页
攻读硕士学位期间完成的论文及参与的科研项目	第59-61页
致谢	第61-62 页

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