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ZnSnO3气敏材料的制备及气敏性能研究
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ZnSnO3气敏材料的制备及气敏性能研究
论文目录
 
摘要第1-6 页
Abstract第6-11 页
1 绪论第11-26 页
　　· 气体传感器的国内外研究现状第11-16 页
　　　　· 传感器的重要性第11 页
　　　　· 半导体气体传感器主要参数特性要求第11-12 页
　　　　· 国外气敏传感器的研究现状第12 页
　　　　· 国内气敏传感器的现状与差距第12-14 页
　　　　· 当前气体传感器存在的问题第14-15 页
　　　　· 气体传感器的技术发展趋势第15-16 页
　　· 纳米材料的研究概述第16-17 页
　　· 纳米ABO_3 型气敏材料的研究概述第17-25 页
　　　　· ABO_3 钙钛矿型结构特点及应用简介第17-19 页
　　　　· ABO_3 钙钛矿型气敏材料的纳米晶粒的制备方法第19-22 页
　　　　· ABO_3 钙钛矿型气敏膜的制备方法第22 页
　　　　· ABO_3 钙钛矿型气敏材料敏感性能举例第22-23 页
　　　　· 影响气敏性能的因素第23-24 页
　　　　· ABO_3 钙钛矿型气敏材料的研究的趋势第24-25 页
　　· 本课题的研究意义、内容及目的第25-26 页
2 高纯度ZnSnO_3 纳米粉体制备工艺第26-39 页
　　· 引言第26 页
　　· 实验第26-29 页
　　　　· 高纯度纳米ZnSnO_3 及气敏元件的制备第26-28 页
　　　　· 表征及测试第28-29 页
　　· 结果与讨论第29-33 页
　　　　· 实验反应过程分析第29-31 页
　　　　· 热分析曲线分析第31 页
　　　　· 物相及微观结构分析第31-33 页
　　· 实验第33-34 页
　　　　· 高纯度纳米ZnSnO_3 制备方法的改进第33-34 页
　　　　· 表征及测试第34 页
　　· 结果与讨论第34-38 页
　　· 小结第38-39 页
3 ZnSnO_3 的酒敏性能的研究第39-45 页
　　· 引言第39 页
　　· 实验第39 页
　　　　· 气敏元件的制备第39 页
　　　　· 表征及测试第39 页
　　· 结果与讨论第39-44 页
　　　　· 不同的添加剂对乙醇灵敏度的影响第39-40 页
　　　　· 乙醇浓度对金属氧化物掺杂的ZnSnO_3 灵敏度的影响第40-41 页
　　　　· 掺杂量对灵敏度的影响第41-42 页
　　　　· 工作周期对灵敏度的影响第42-43 页
　　　　· ZnSnO_3 传感器的工作温度第43 页
　　　　· 含有La203 添加剂的传感器的电压特性第43-44 页
　　　　· 金属氧化物掺杂传感器的选择性第44 页
　　· 小结第44-45 页
4 ZnSnO_3 的氢敏性能的研究第45-51 页
　　· 引言第45 页
　　· 实验第45-46 页
　　　　· PdCl_2 的掺杂和传感器的制备第45 页
　　　　· 表征及测试第45-46 页
　　· 结果与讨论第46-50 页
　　　　· PdCl_2 的掺入对灵敏度的影响第46-47 页
　　　　· PdCl_2 的掺入对选择性的影响第47-48 页
　　　　· 最佳工作温度测定第48 页
　　　　· 含有PdCl_2 添加剂的传感器的电压特性第48-49 页
　　　　· SEM 分析第49-50 页
　　· 小结第50-51 页
5 ZnSnO_3 的气敏机理模型研究第51-65 页
　　· 引言第51-52 页
　　　　· 灵敏度和气体浓度的关系第51 页
　　　　· 灵敏度和工作温度的关系第51 页
　　　　· 有关选择性的实验及其结果第51-52 页
　　　　· 有关稳定性的实验结果第52 页
　　· 气敏作用机理和模型的研究现状第52-54 页
　　　　· 晶界势垒控制模型第52-53 页
　　　　· 吸收效应模型第53 页
　　　　· 体原子价控制模型第53 页
　　　　· 化学吸附过程模型第53-54 页
　　· 气敏作用机理模型的研究第54-64 页
　　　　· ZnSnO_3 半导体陶瓷的导电机理第54-56 页
　　　　· ZnSnO_3 半导体陶瓷表面的气-固，气-气作用第56-58 页
　　　　· 单晶薄膜和烧结体的ZnSnO_3 气敏传感器第58 页
　　　　· 尺寸效应和离子替代掺杂机理第58-59 页
　　　　· 添加剂的作用机理第59-60 页
　　　　· 表面反应过程和选择性的关系第60-64 页
　　· 小结第64-65 页
6 结论及建议第65-67 页
致谢第67-68 页
参考文献第68-74 页
附录第74-76页

本篇论文共76页，点击这进入下载页面。
 
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