硅基场发射三极管阵列的制备与优化



硅基场发射三极管阵列的制备与优化

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硅基场发射三极管阵列的制备与优化

论文目录
摘要	第1-5页
ABSTRACT	第5-7页
目录	第7-9页
第一章绪论	第9-19页
· 引言	第9-10页
· 场发射阴极的发展状况	第10-14页
· 场发射发展历史	第10-11页
· 场发射的国外研究情况	第11-12页
· 场发射的国内研究情况	第12-14页
· 场发射阴极的分类与应用	第14-17页
· 场发射阴极的分类	第14-15页
· 场发射阴极的应用	第15-17页
· 本论文的主要工作内容及意义	第17-19页
第二章场致发射的基本理论	第19-26页
· 金属材料的表面势垒	第19-20页
· 金属场致发射理论	第20-22页
· 理想条件下的F-N公式	第20-22页
· F-N公式的适用性	第22页
· 半导体场致发射理论	第22-24页
· 尖锥发射体参数与场发射的关系	第24-26页
第三章场发射三极管阵列的基本制备工艺	第26-33页
· Spindt阴极制备工艺	第26-28页
· 硅尖锥阴极制备工艺	第28-31页
· 自对准氧化削尖工艺	第28-30页
· 回蚀工艺	第30-31页
· 微尖场发射阵列工艺	第31-32页
· 本章小结	第32-33页
第四章硅基场发射三极管阴极阵列的制备	第33-56页
· 材料的选择	第33-35页
· 基底材料的选择	第33页
· 场发射材料的选择	第33-35页
· 半导体空腔的制备工艺研究	第35-45页
· 预氧层及氮化硅层的制备	第35-36页
· 光刻技术	第36-38页
· 氧化模型与参数控制	第38-41页
· 空腔刻蚀	第41-44页
· 结果与分析	第44-45页
· 硅基场发射三极管阵列栅极的制备	第45-46页
· 牺牲层的设计与制备	第46-49页
· 硅基场发射三极管阵列尖锥阵列的制备	第49-55页
· 沉积尖锥阵列	第49-52页
· 去除牺牲层	第52-53页
· 沉积薄膜的尖锥阵列制备	第53-55页
· 本章小结	第55-56页
第五章阴极阵列的优化与测试	第56-67页
· 退火工艺	第56-58页
· 三极管阵列封装工艺及测试设备	第58-60页
· 封装工艺	第58页
· 测试电路	第58-60页
· 场发射三极管发射性能测试及分析	第60-63页
· 场发射三极管稳定性测试及分析	第63-65页
· 本章小节	第65-67页
第六章结束语	第67-69页
· 本论文的主要工作与结论	第67页
· 工作展望	第67-69页
致谢	第69-70页
参考文献	第70-74页
个人简历	第74页
硕士研究生期间发表的论文	第74 页

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