论文目录 | |
| 论文创新点 | 第1-8页 |
| 摘要 | 第8-10页 |
| Abstract | 第10-13页 |
| 引言 | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-31页 |
| 1.1 ZnO材料的基本性质 | 第14-18页 |
| 1.1.1 ZnO的物理性质 | 第14-15页 |
| 1.1.2 ZnO的晶体结构 | 第15-16页 |
| 1.1.3 ZnO的本征缺陷 | 第16-17页 |
| 1.1.4 ZnO的光电特性 | 第17-18页 |
| 1.2 ZnO的应用 | 第18-24页 |
| 1.2.1 透明导电薄膜 | 第18-19页 |
| 1.2.2 薄膜晶体管 | 第19-20页 |
| 1.2.3 纳米发电机 | 第20-21页 |
| 1.2.4 电致发光器件 | 第21-22页 |
| 1.2.5 光电探测器 | 第22-24页 |
| 1.3 ZnO材料常用的制备工艺简介 | 第24-29页 |
| 1.3.1 溶液水热法 | 第24-25页 |
| 1.3.2 射频磁控溅射 | 第25-26页 |
| 1.3.3 脉冲激光沉积 | 第26-27页 |
| 1.3.4 原子层沉积 | 第27-29页 |
| 1.4 本论文的研究内容及意义 | 第29-31页 |
| 第二章 ZnO/GaN异质结多色电致发光器件 | 第31-47页 |
| 2.1 ZnO/GaN电致发光器件的研究现状 | 第31-36页 |
| 2.2 器件的制备 | 第36-38页 |
| 2.2.1 衬底的清洗 | 第36页 |
| 2.2.2 薄膜的生长 | 第36-37页 |
| 2.2.3 器件的封装 | 第37-38页 |
| 2.3 材料性能的测试与表征 | 第38-40页 |
| 2.4 器件多色电致发光的实现与分析 | 第40-45页 |
| 2.5 本章小结 | 第45-47页 |
| 第三章 p-Si/n-ZnO异质结电致发光器件 | 第47-61页 |
| 3.1 p-Si/n-ZnO异质结的研究现状 | 第47-50页 |
| 3.2 p-Si/HfO_2/n-ZnO异质结的制备 | 第50-52页 |
| 3.2.1 衬底的清洗 | 第50-51页 |
| 3.2.2 薄膜的生长 | 第51页 |
| 3.2.3 器件的封装 | 第51-52页 |
| 3.3 器件的表征与分析 | 第52-59页 |
| 3.4 本章小结 | 第59-61页 |
| 第四章 p-NiO/n-ZnO纳米线异质结电致发光器件 | 第61-73页 |
| 4.1 p-NiO/n-ZnO异质结电致发光器件的研究现状 | 第61-63页 |
| 4.2 p-NiO/n-ZnO纳米线电致发光器件的制备 | 第63-66页 |
| 4.2.1 p型NiO薄膜的制备 | 第64-65页 |
| 4.2.2 ZnO纳米线阵列的制备 | 第65-66页 |
| 4.2.3 电致发光器件的制备 | 第66页 |
| 4.3 电致发光器件的表征与分析 | 第66-72页 |
| 4.4 本章小结 | 第72-73页 |
| 第五章 p-NiO/n-ZnO纳米线异质结光电探测器 | 第73-90页 |
| 5.1 p-NiO/n-ZnO异质结光电探测器的研究现状 | 第73-79页 |
| 5.2 p-NiO/n-ZnO纳米线核壳结构光电探测器的制备 | 第79-80页 |
| 5.3 p-NiO/n-ZnO@Al_2O_3光电探测器的表征与分析 | 第80-89页 |
| 5.4 本章小结 | 第89-90页 |
| 第六章 总结与展望 | 第90-93页 |
| 6.1 总结 | 第90-92页 |
| 6.2 展望 | 第92-93页 |
| 中外文参考文献 | 第93-108页 |
| 攻博期间发表论文及申请专利 | 第108-110页 |
| 致谢 | 第110页 |
