隔离型和隧道型RC-IGBT新结构与耐压设计



隔离型和隧道型RC-IGBT新结构与耐压设计

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隔离型和隧道型RC-IGBT新结构与耐压设计

论文目录
摘要	第1-7页
ABSTRACT	第7-11页
第一章绪论	第11-27页
1.1 IGBT 的发展	第13-17页
1.2 逆导型 IGBT	第17-19页
· 结终端技术	第19-25页
· 本文的主要工作与创新	第25-27页
第二章隔离型 RC-IGBT	第27-50页
2.1 传统 RC-IGBT 基本特性	第27-34页
2.2 介质隔离型 RC-IGBT	第34-37页
2.3 介质隔离与结隔离型 RC-IGBT	第37-43页
2.4 结隔离型 RC-IGBT	第43-49页
· 本章小结	第49-50页
第三章隧道型 RC-IGBT	第50-59页
3.1 隧道型 RC-IGBT 的工作原理	第50-55页
· 集成二极管的反向恢复特性	第55-57页
· 本章小结	第57-59页
第四章 IGBT 的耐压设计	第59-87页
· 单晶材料设计	第60-63页
· 结终端设计	第63-74页
· 吸硼排磷效应	第66-68页
· 氧化层电荷	第68-73页
· 版图设计	第73-74页
4.3 宽基区 p-n-p 的放大系数	第74-79页
· 实验结果	第79-85页
· 流片工艺	第79-81页
· 版图布局与分片设计	第81-82页
· 测试结果	第82-85页
· 本章小结	第85-87页
第五章结论与展望	第87-90页
· 结论	第87-89页
· 展望	第89-90页
致谢	第90-91页
参考文献	第91-104页
攻博期间取得的研究成果	第104-106 页

本篇论文共106页，点击这进入下载页面。

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