论文目录 | |
| 摘要 | 第1-6
页 |
| Abstract | 第6-10
页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22
页 |
| · Si基应变三维CMOS集成电路的意义 | 第10-12
页 |
| · 国内外发展状况 | 第12-20
页 |
| · 本论文的研究内容与安排 | 第20-22
页 |
| 第二章 应变Si与应变SiGe材料的基本物理特性 | 第22-40
页 |
| · Si/SiGe材料的应变 | 第22-24
页 |
| · 应变Si基本物理参数 | 第24-30
页 |
| · 应变Si能带结构 | 第24-25
页 |
| · 应变Si载流子有效质量 | 第25-26
页 |
| · 应变Si有效状态密度和本征载流子浓度 | 第26-28
页 |
| · 应变Si迁移率模型 | 第28-30
页 |
| · 应变SiGe基本物理参数 | 第30-39
页 |
| · 应变SiGe能带结构 | 第30-37
页 |
| · 应变SiGe载流子有效质量 | 第37
页 |
| · 应变SiGe有效状态密度和本征载流子浓度 | 第37-38
页 |
| · 应变SiGe载流子迁移率 | 第38-39
页 |
| · 本章小结 | 第39-40
页 |
| 第三章 低温/高真空SOI结构研制及Si基应变三维CMOS研究 | 第40-64
页 |
| · SOI结构技术 | 第40-46
页 |
| · 低温/高真空硅片直接键合与智能剥离技术研究 | 第46-53
页 |
| · 键合性能表征与影响键合质量的因素 | 第46-48
页 |
| · 低温硅片直接键合 | 第48-52
页 |
| · 低温/高真空硅片直接键合技术 | 第52-53
页 |
| · 实验过程与结果分析 | 第53-57
页 |
| · 实验过程 | 第53-54
页 |
| · 实验结果分析 | 第54-57
页 |
| · 应变Si/应变SiGe SOI三维CMOS器件 | 第57-62
页 |
| · Si基应变SOI CMOS器件的基本结构 | 第58-59
页 |
| · Si基应变SOI CMOS器件的电学特性分析 | 第59-60
页 |
| · Si基应变SOI CMOS器件的电学特性仿真 | 第60-62
页 |
| · 本章小结 | 第62-64
页 |
| 第四章 垂直层叠共栅应变Si/应变SiGe量子阱CMOS研究 | 第64-94
页 |
| · 弛豫SiGe缓冲层技术 | 第64-65
页 |
| · 多晶SiGe栅技术研究 | 第65-69
页 |
| · 多晶SiGe功函数与Ge组分的关系 | 第65-66
页 |
| · p~+多晶SiGe栅MOS结构阈值电压仿真分析 | 第66-68
页 |
| · p~+多晶SiGe栅MOSFET仿真分析 | 第68-69
页 |
| · 垂直层叠共栅应变Si/应变SiGe量子阱CMOS结构与原理 | 第69-71
页 |
| · 垂直层叠共栅应变Si/应变SiGe量子阱CMOS仿真及优化 | 第71-91
页 |
| · Medici模型修正 | 第71-74
页 |
| · 垂直层叠共栅应变Si/应变SiGe量子阱CMOS仿真分析 | 第74-78
页 |
| · 垂直层叠共栅应变Si/应变SiGe量子阱CMOS结构参数分析 | 第78-89
页 |
| · 垂直层叠共栅应变Si/应变SiGe量子阱CMOS结构优化设计 | 第89-91
页 |
| · 垂直层叠共栅应变Si/应变SiGe量子阱CMOS反相器 | 第91
页 |
| · 本章小结 | 第91-94
页 |
| 第五章 结束语 | 第94-96
页 |
| 致谢 | 第96-98
页 |
| 参考文献 | 第98-118
页 |
| 在读期间研究成果 | 第118-119
页 |
