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超深亚微米CMOS器件GIDL电流及其可靠性研究
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超深亚微米CMOS器件GIDL电流及其可靠性研究
论文目录
 
摘要第1-7 页
Abstract第7-12 页
第一章 绪论第12-22 页
　　· GIDL 电流及研究意义第12-16 页
　　　　· 静态功耗与GIDL 泄漏电流第12-14 页
　　　　· GIDL 电流研究的意义第14-16 页
　　· GIDL 电流研究进展及现状第16-20 页
　　　　· GIDL 隧穿电流研究的起源第16-17 页
　　　　· GIDL 隧穿电流的研究发展及其现状第17-19 页
　　　　· GIDL 产生电流的研究发展及其现状第19 页
　　　　· 国内研究现状第19-20 页
　　· 本论文研究内容及其安排第20-22 页
第二章 GIDL 隧穿电流机制与特性第22-36 页
　　· 带带隧穿电流形成机制第22-27 页
　　　　· 方型势垒中电子隧穿基础理论第22-23 页
　　　　· 三角势垒中的隧穿第23-25 页
　　　　· GIDL 带带隧穿电流第25-27 页
　　· 电场对GIDL 隧穿电流的影响第27-29 页
　　　　· 栅氧化层厚度对GIDL 隧穿电流的影响第27-28 页
　　　　· LDD 区掺杂对GIDL 隧穿电流的影响第28-29 页
　　· 衬底偏压对GIDL 隧穿电流的调制第29-31 页
　　　　· 研究衬底偏压的背景第29-30 页
　　　　· 衬底偏压的实际影响第30-31 页
　　· GIDL 隧穿电流经典一维模型中的问题第31-33 页
　　　　· GIDL 隧穿电流及传统一维模型第32 页
　　　　· 薄栅中相同V_(DG) 下的实验情形第32-33 页
　　· 本章小结第33-36 页
第三章 GIDL隧穿效应中的D_(IFF)效应第36-48 页
　　· 漏栅电压V_(DG) 对GIDL 隧穿的影响第36-37 页
　　　　· 研究背景第36-37 页
　　　　· 相同V_(DG) 下器件LDD 区界面附近的电场第37 页
　　· D_(IFF) 现象第37-42 页
　　　　· 测试原理与方法第37-38 页
　　　　· 实验与讨论第38-42 页
　　· 温度对D_(IFF) 的影响第42-43 页
　　· 电应力下的D_(IFF) 特性第43-47 页
　　　　· 注入空穴对D_(IFF) 的影响第44-46 页
　　　　· 注入电子对D_(IFF) 的影响第46-47 页
　　· 本章小结第47-48 页
第四章 GIDL 隧穿电流探测器件损伤研究第48-66 页
　　· 氧化层损伤机制及GIDL 隧穿电流探测原理第48-53 页
　　　　· 氧化层及界面损伤机制第48-50 页
　　　　· LDD MOSFET 的结构及特性描述第50-51 页
　　　　· GIDL 电流探测原理第51-53 页
　　· 低栅压LGV 应力下超薄栅超短沟 LDD nMOS 器件退化第53-60 页
　　　　· 器件与实验设计第53 页
　　　　· LGV 应力对器件转移输出曲线的影响第53-55 页
　　　　· GIDL 隧穿电流探测第55-57 页
　　　　· LGV 应力下的器件性能的退化第57-60 页
　　· 最大衬底电流应力中的GIDL 隧穿电流第60-64 页
　　　　· 最大衬底电流应力实验第60-61 页
　　　　· 空穴注入假设与空穴注入第61-64 页
　　· 本章小结第64-66 页
第五章 GIDL 应力特性研究第66-88 页
　　· GIDL 应力注入原理及方法第66-70 页
　　　　· GIDL 应力注入原理第66-68 页
　　　　· 超薄栅中GIDL 应力方法第68-69 页
　　　　· GIDL 应力测试流程第69-70 页
　　· 单程GIDL 应力注入第70-76 页
　　　　· 测试实验以及器件第70-71 页
　　　　· GIDL 应力损伤类型第71 页
　　　　· 相同V_(DG) 下的GIDL 应力第71-73 页
　　　　· 相同V_G 下的GIDL 应力第73-74 页
　　　　· 相同V_D 下的GIDL 应力第74-75 页
　　　　· 结论第75-76 页
　　· 交替应力中的GIDL 应力注入第76-80 页
　　　　· 实验方法和器件第76-77 页
　　　　· 两种厚度的栅氧化层下GIDL 应力比较第77-78 页
　　　　· GIDL 应力在交替应力下的器件退化第78-80 页
　　· GIDL 空穴注入与其他空穴注入应力比较第80-86 页
　　　　· 实验测量第81 页
　　　　· 阈值电压、跨导、线性区和饱和区漏电流退化现象第81-82 页
　　　　· 退化机理第82-85 页
　　　　· 三种空穴注入应力分类第85-86 页
　　· 本章小结第86-88 页
第六章 GIDL 产生电流特性研究第88-116 页
　　· 产生电流的形成第88-91 页
　　　　· 产生电流的形成机理第88-89 页
　　　　· 产生电流中的陷阱和氧化层电荷第89-91 页
　　· 漏端电压对产生电流的影响第91-93 页
　　　　· 产生率最大化因子第91-92 页
　　　　· 不同漏偏压下的产生电流曲线的漂移第92-93 页
　　· 衬底偏压对产生电流的调制效应第93-98 页
　　　　· 衬底偏压对产生电流的影响第93-97 页
　　　　· V_D=0V 时产生电流与衬底电压的关系第97-98 页
　　· 产生电流中的陷阱特性第98-102 页
　　· pMOSFET 中的产生电流第102-106 页
　　　　· pMOSFET 产生电流的机理第102 页
　　　　· pMOSFET 产生电流中的陷阱特性第102-104 页
　　　　· pMOSFET 产生电流衬底偏压调制效应第104-106 页
　　· 高栅压电子注入损伤下的产生电流第106-114 页
　　　　· nMOSFET 下的情形第106-111 页
　　　　· pMOSFET 高栅压下的应用第111-114 页
　　· 本章小结第114-116 页
第七章 结束语第116-120 页
　　· 本文的主要结论第116-119 页
　　· 未来的工作第119-120 页
致谢第120-122 页
参考文献第122-134 页
论文期间研究成果第134-136 页

本篇论文共136页，点击这进入下载页面。
 
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