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一维硫属化合物纳米材料的可控合成及相关NANO/MEMS器件特性研究

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一维硫属化合物纳米材料的可控合成及相关NANO/MEMS器件特性研究
论文目录
 
摘要第1-10页
ABSTRACT第10-12页
致谢第12-20页
第一章 绪论第20-30页
  · 引言第20-21页
  · 一维纳米材料可控合成第21-22页
  · 纳米光电器件的研究现状第22-26页
  · 有关MEMS 器件表面粘附力的研究现状第26页
  · 本文选题背景、研究动机和总体结构第26-30页
第二章 CdE(E=S, Se)、PbS 纳米线/棒阵列的气相合成及发光研究第30-53页
  · CdE (E=S, Se) 纳米线阵列的气相合成及发光研究第30-45页
    · CdE(E=S, Se) 的基本性质、晶体结构第30-32页
    · 一维CdS 纳米材料的气相合成研究现状第32-34页
    · 一维CdE 纳米材料的光电性质研究现状第34-37页
    · CdE (E=S, Se) 纳米线阵列的制备与发光性质第37-45页
      · 一维纳米材料制备的实验装置第37-38页
      · CdE 纳米阵列制备的实验过程第38-39页
      · CdSe 纳米线阵列的结构表征与光学性质第39-43页
      · CdS 纳米线阵列的结构表征第43-45页
  · PbS 纳米棒阵列的制备及表征第45-52页
    · 引言第45-46页
    · 实验部分第46页
    · PbS 纳米棒阵列的物相与结构第46-47页
    · PbS 纳米棒阵列的形貌演变及生长机制第47-52页
  · 本章小结第52-53页
第三章 三元合金化及掺杂CdE 半导体纳米带的合成与发光研究第53-71页
  · 硫化法制备组分均一可控CdS_XSe_(1-X) 纳米带及发光研究第53-61页
    · 前言第53-54页
    · 实验部分第54页
    · 结果表征与讨论第54-61页
      · 产物形貌与晶体结构表征第54-56页
      · 三元纳米带的生长机理第56-58页
      · CdS_XSe_(1-X) 的光致发光与激光研究第58-61页
  · 氢辅助法制备Mn 掺杂CdS 纳米带及发光性质的研究第61-70页
    · 引言第61-62页
    · 实验部分第62页
    · 结果和讨论第62-70页
  · 本章小结第70-71页
第四章 CdS_XSe_(1-X)纳米带场效应管的制备与性能研究第71-79页
  · 有关半导体纳米线/带场效应管的研究进展第71页
  · 基于一维半导体纳米线/带的FET 制备工艺方法第71-74页
    · 纳米器件的制备工艺第71-74页
    · 纳米带FET 制备工艺流程第74页
  · CdS_XSe_(1-X) 纳米带FET 性能研究第74-78页
  · 本章小结第78-79页
第五章 基于CdS、CdSe 纳米线阵列场发射原型器件研究第79-89页
  · 场发射基本原理第79页
  · 场发射测试方法及原理第79-80页
  · CdSe 、CdS 纳米线阵列的场发射性质第80-87页
    · 一维无机半导体纳米结构的场发射研究现状第80-81页
    · CdSe 纳米线阵列的场发射性能研究第81-84页
    · CdS 纳米线阵列的场发射性能研究第84-87页
  · 本章小结第87-89页
第六章MEMS 器件表面粘附力的研究第89-111页
  · 应用双固支梁结构(DCB)测定多晶硅表面的粘附力第89-104页
    · 引言第89-90页
    · 实验部分第90-92页
      · 器件结构的制造与表面处理第90-92页
      · 器件表面粘附力的测量第92页
    · 结果和讨论第92-104页
      · 表面性质第92-93页
      · DCB 结构的刚度分析第93-96页
      · 有限元模拟第96-101页
      · 粘附力的确定第101页
      · 不同环境下的粘附力第101-104页
    · 结论第104页
  · 应用悬臂梁阵列(CBA)测定多晶硅表面吸附能第104-109页
    · 引言第104-105页
    · 实验过程第105-106页
    · 结果讨论第106-109页
    · 结论第109页
  · 本章小结第109-111页
第七章 全文总结第111-113页
参考文献第113-128页
攻读博士学位期间完成的论文与专利第128-131页

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