论文目录 | |
摘要 | 第1-10页 |
ABSTRACT | 第10-12页 |
致谢 | 第12-20页 |
第一章 绪论 | 第20-30页 |
· 引言 | 第20-21页 |
· 一维纳米材料可控合成 | 第21-22页 |
· 纳米光电器件的研究现状 | 第22-26页 |
· 有关MEMS 器件表面粘附力的研究现状 | 第26页 |
· 本文选题背景、研究动机和总体结构 | 第26-30页 |
第二章 CdE(E=S, Se)、PbS 纳米线/棒阵列的气相合成及发光研究 | 第30-53页 |
· CdE (E=S, Se) 纳米线阵列的气相合成及发光研究 | 第30-45页 |
· CdE(E=S, Se) 的基本性质、晶体结构 | 第30-32页 |
· 一维CdS 纳米材料的气相合成研究现状 | 第32-34页 |
· 一维CdE 纳米材料的光电性质研究现状 | 第34-37页 |
· CdE (E=S, Se) 纳米线阵列的制备与发光性质 | 第37-45页 |
· 一维纳米材料制备的实验装置 | 第37-38页 |
· CdE 纳米阵列制备的实验过程 | 第38-39页 |
· CdSe 纳米线阵列的结构表征与光学性质 | 第39-43页 |
· CdS 纳米线阵列的结构表征 | 第43-45页 |
· PbS 纳米棒阵列的制备及表征 | 第45-52页 |
· 引言 | 第45-46页 |
· 实验部分 | 第46页 |
· PbS 纳米棒阵列的物相与结构 | 第46-47页 |
· PbS 纳米棒阵列的形貌演变及生长机制 | 第47-52页 |
· 本章小结 | 第52-53页 |
第三章 三元合金化及掺杂CdE 半导体纳米带的合成与发光研究 | 第53-71页 |
· 硫化法制备组分均一可控CdS_XSe_(1-X) 纳米带及发光研究 | 第53-61页 |
· 前言 | 第53-54页 |
· 实验部分 | 第54页 |
· 结果表征与讨论 | 第54-61页 |
· 产物形貌与晶体结构表征 | 第54-56页 |
· 三元纳米带的生长机理 | 第56-58页 |
· CdS_XSe_(1-X) 的光致发光与激光研究 | 第58-61页 |
· 氢辅助法制备Mn 掺杂CdS 纳米带及发光性质的研究 | 第61-70页 |
· 引言 | 第61-62页 |
· 实验部分 | 第62页 |
· 结果和讨论 | 第62-70页 |
· 本章小结 | 第70-71页 |
第四章 CdS_XSe_(1-X)纳米带场效应管的制备与性能研究 | 第71-79页 |
· 有关半导体纳米线/带场效应管的研究进展 | 第71页 |
· 基于一维半导体纳米线/带的FET 制备工艺方法 | 第71-74页 |
· 纳米器件的制备工艺 | 第71-74页 |
· 纳米带FET 制备工艺流程 | 第74页 |
· CdS_XSe_(1-X) 纳米带FET 性能研究 | 第74-78页 |
· 本章小结 | 第78-79页 |
第五章 基于CdS、CdSe 纳米线阵列场发射原型器件研究 | 第79-89页 |
· 场发射基本原理 | 第79页 |
· 场发射测试方法及原理 | 第79-80页 |
· CdSe 、CdS 纳米线阵列的场发射性质 | 第80-87页 |
· 一维无机半导体纳米结构的场发射研究现状 | 第80-81页 |
· CdSe 纳米线阵列的场发射性能研究 | 第81-84页 |
· CdS 纳米线阵列的场发射性能研究 | 第84-87页 |
· 本章小结 | 第87-89页 |
第六章MEMS 器件表面粘附力的研究 | 第89-111页 |
· 应用双固支梁结构(DCB)测定多晶硅表面的粘附力 | 第89-104页 |
· 引言 | 第89-90页 |
· 实验部分 | 第90-92页 |
· 器件结构的制造与表面处理 | 第90-92页 |
· 器件表面粘附力的测量 | 第92页 |
· 结果和讨论 | 第92-104页 |
· 表面性质 | 第92-93页 |
· DCB 结构的刚度分析 | 第93-96页 |
· 有限元模拟 | 第96-101页 |
· 粘附力的确定 | 第101页 |
· 不同环境下的粘附力 | 第101-104页 |
· 结论 | 第104页 |
· 应用悬臂梁阵列(CBA)测定多晶硅表面吸附能 | 第104-109页 |
· 引言 | 第104-105页 |
· 实验过程 | 第105-106页 |
· 结果讨论 | 第106-109页 |
· 结论 | 第109页 |
· 本章小结 | 第109-111页 |
第七章 全文总结 | 第111-113页 |
参考文献 | 第113-128页 |
攻读博士学位期间完成的论文与专利 | 第128-131页 |