论文目录 | |
| 摘要 | 第1-7页 |
| abstract | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-33页 |
| 1.1 半导体材料及其缺陷概述 | 第13-18页 |
| 1.1.1 半导体材料发展简史 | 第13-15页 |
| 1.1.2 典型半导体材料的器件应用 | 第15-18页 |
| 1.2 典型半导体器件制备工艺及其可靠性评价 | 第18-21页 |
| 1.2.1 基本制备工艺 | 第18-19页 |
| 1.2.2 可靠性检测 | 第19-21页 |
| 1.3 半导体材料电活性缺陷的研究概况及存在问题 | 第21-30页 |
| 1.3.1 InGaAs材料体系器件应用及其缺陷研究 | 第21-24页 |
| 1.3.2 GaN器件中AlN生长工艺及其缺陷研究 | 第24-27页 |
| 1.3.3 硅基光伏太阳能电池及其电活性缺陷研究 | 第27-29页 |
| 1.3.4 存在问题与解决思路 | 第29-30页 |
| 1.4 本论文主要工作 | 第30-33页 |
| 1.4.1 选题意义 | 第30-31页 |
| 1.4.2 主要研究内容 | 第31-32页 |
| 1.4.3 文章结构安排 | 第32-33页 |
| 第二章 半导体物理基础及其电活性缺陷表征方法 | 第33-54页 |
| 2.1 半导体物理基础 | 第33-38页 |
| 2.1.1 半导体材料种类 | 第33-36页 |
| 2.1.2 掺杂 | 第36-37页 |
| 2.1.3 缺陷 | 第37-38页 |
| 2.2 半导体材料电学测试方法 | 第38-48页 |
| 2.2.1 电容-电压C-V特性测试 | 第38-42页 |
| 2.2.3 噪声测试 | 第42-46页 |
| 2.2.4 霍尔测试 | 第46-48页 |
| 2.3 深能级瞬态谱DLTS测试原理及其应用 | 第48-53页 |
| 2.3.1 深能级缺陷 | 第48-50页 |
| 2.3.2 DLTS原理 | 第50-51页 |
| 2.3.3 DLTS测试方法与应用 | 第51-53页 |
| 2.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第三章 铟镓砷薄膜材料电活性缺陷研究 | 第54-64页 |
| 3.1 引言 | 第54-55页 |
| 3.2 制备态铟镓砷MOS器件缺陷研究 | 第55-58页 |
| 3.2.1 研究背景 | 第55页 |
| 3.2.2 实验过程 | 第55-56页 |
| 3.2.3 结果分析 | 第56-58页 |
| 3.3 退火处理对铟镓砷MOS器件缺陷的影响 | 第58-63页 |
| 3.3.1 研究背景 | 第58-59页 |
| 3.3.2 实验过程 | 第59页 |
| 3.3.3 结果分析 | 第59-63页 |
| 3.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第四章 氮化镓功率器件中氮化铝缓冲层的电活性缺陷研究 | 第64-80页 |
| 4.1 引言 | 第64-65页 |
| 4.2 氮化铝MIS器件结构 | 第65页 |
| 4.3 硅衬底掺杂浓度对氮化铝MIS器件深能级缺陷的影响 | 第65-73页 |
| 4.3.1 研究背景 | 第65页 |
| 4.3.2 实验过程 | 第65-66页 |
| 4.3.3 结果分析 | 第66-73页 |
| 4.4 退火处理对氮化铝MIS器件深能级缺陷的影响 | 第73-79页 |
| 4.4.1 研究背景 | 第73页 |
| 4.4.2 实验过程 | 第73页 |
| 4.4.3 结果分析 | 第73-79页 |
| 4.5 本章小结 | 第79-80页 |
| 第五章 氢等离子体刻蚀对硅衬底表面电活性缺陷的研究 | 第80-94页 |
| 5.1 引言 | 第80-81页 |
| 5.2 肖特基二极管结构及其制备 | 第81-83页 |
| 5.3 氢等离子体刻蚀对硅衬底表面缺陷的影响 | 第83-86页 |
| 5.3.1 研究背景 | 第83页 |
| 5.3.2 实验过程 | 第83页 |
| 5.3.3 结果分析 | 第83-86页 |
| 5.4 氢化非晶硅薄膜的钝化作用研究 | 第86-93页 |
| 5.4.1 研究背景 | 第86页 |
| 5.4.2 实验过程 | 第86-87页 |
| 5.4.3 结果分析 | 第87-93页 |
| 5.5 本章小结 | 第93-94页 |
| 第六章 非晶硅钌薄膜材料中微结构与电学性能的研究 | 第94-109页 |
| 6.1 引言 | 第94-95页 |
| 6.2 非晶硅钌薄膜制备 | 第95页 |
| 6.3 钌掺杂浓度对非晶硅钌薄膜微结构及导电性的影响 | 第95-102页 |
| 6.3.1 研究背景 | 第95-96页 |
| 6.3.2 实验过程 | 第96-97页 |
| 6.3.3 结果分析 | 第97-102页 |
| 6.4 钌掺杂浓度对非晶硅钌薄膜1/f噪声的影响 | 第102-108页 |
| 6.4.1 研究背景 | 第102-103页 |
| 6.4.2 实验过程 | 第103-105页 |
| 6.4.3 结果分析 | 第105-108页 |
| 6.5 本章小结 | 第108-109页 |
| 第七章 全文总结与展望 | 第109-112页 |
| 7.1 全文工作总结 | 第109-110页 |
| 7.2 创新点 | 第110-111页 |
| 7.3 后续工作展望 | 第111-112页 |
| 致谢 | 第112-113页 |
| 参考文献 | 第113-130页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第130-131页 |
