论文目录 | |
| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-29页 |
| 1.1 AlGaN/GaN HEMTs 作为功率开关的优势 | 第13-15页 |
| 1.2 AlGaN/GaN HEMTs 的应用领域 | 第15-19页 |
| 1.3 提高 AlGaN/GaN HEMTs 耐压的研究现状 | 第19-25页 |
| · 本论文的主要工作和创新点 | 第25-29页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMTs 仿真模型设计及击穿机理分析 | 第29-48页 |
| 2.1 GaN 材料参数与 AlGaN/GaN 异质结 | 第29-33页 |
| 2.1.1 AlGaN/GaN HEMT 的材料参数 | 第29-31页 |
| · 极化电荷和表面电场 | 第31-32页 |
| · 碰撞电离模型 | 第32-33页 |
| 2.2 带有源场板结构的 AlGaN/GaN HEMT 的仿真与制造 | 第33-39页 |
| 2.2.1 带有源场板结构的 AlGaN/GaN HEMT 的工艺仿真 | 第33-35页 |
| 2.2.2 带有源场板结构的 AlGaN/GaN HEMT 的击穿特性仿真 | 第35-39页 |
| · 实验结果与仿真结果分析对比 | 第39-40页 |
| 2.4 AlGaN/GaN HEMT 的击穿机理分析 | 第40-46页 |
| 2.4.1 AlGaN/GaN HEMT 击穿电压温度系数 | 第40-42页 |
| 2.4.2 AlGaN/GaN HEMT 栅极肖特基泄漏电流 | 第42-46页 |
| · 本章小结 | 第46-48页 |
| 第三章 带有 Mg 埋层 AlGaN/GaN HEMTs 的电场优化 | 第48-70页 |
| 3.1 带有局域 Mg 埋层的高压 AlGaN/GaN HEMT | 第52-56页 |
| 3.1.1 带有局域 Mg 埋层的高压 AlGaN/GaN HEMT 的耐压机理 | 第52-54页 |
| 3.1.2 带有局域 Mg 埋层的高压 AlGaN/GaN HEMT 的参数优化 | 第54-56页 |
| 3.2 AlGaN/GaN HEMTs 的降低表面电场的概念 | 第56-62页 |
| 3.3 带有局域 Mg 埋层及漏端场板的高压 AlGaN/GaN HEMT | 第62-68页 |
| 3.3.1 带有局域 Mg 埋层及漏端场板的高压 AlGaN/GaN HEMT 的耐压机理 ... | 第62-66页 |
| 3.3.2 带有局域 Mg 埋层及漏端场板的高压 AlGaN/GaN HEMT 的参数优化 ... | 第66-68页 |
| · 本章小结 | 第68-70页 |
| 第四章 空气桥（Air-bridge）场板结构 HEMT 的设计与优化 | 第70-84页 |
| · 引言 | 第70-71页 |
| 4.2 空气桥场板 Air-bridge FP（AFP）HEMT 的结构和工艺流程 | 第71-74页 |
| 4.2.1 空气桥场板 Air-bridge FP（AFP）HEMT 的结构 | 第71-72页 |
| 4.2.2 空气桥场板 Air-bridge FP（AFP）HEMT 的工艺设计 | 第72-74页 |
| 4.3 空气桥场板 Air-bridge FP（AFP）HEMT 的电特性分析 | 第74-82页 |
| 4.3.1 空气桥场板 Air-bridge FP（AFP）HEMT 的输入电容 Cgs | 第74页 |
| 4.3.2 空气桥场板 Air-bridge FP（AFP）HEMT 的耐压特性 | 第74-79页 |
| 4.3.3 空气桥场板 Air-bridge FP（AFP）HEMT 的输出特性 | 第79-80页 |
| 4.3.4 空气桥场板 Air-bridge FP（AFP）HEMT 的击穿电压温度特性 | 第80-82页 |
| · 本章小结 | 第82-84页 |
| 第五章 结论与展望 | 第84-87页 |
| · 结论 | 第84-85页 |
| · 下一步工作 | 第85-87页 |
| 致谢 | 第87-89页 |
| 参考文献 | 第89-101页 |
| 读博期间取得的研究成果 | 第101-103
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