论文目录 | |
| 摘要 | 第1-8
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| Abstract | 第8-10
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| 第一章 绪论 | 第10-32
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| · 集成电路的发展 | 第10-12
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| · SiO_2做为栅材料的限制 | 第12-14
页 |
| · 目前的两种解决途径 | 第14-15
页 |
| · 影响高k材料性能的参数 | 第15-21
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| · 介电常数 | 第15-17
页 |
| · 热稳定性 | 第17-18
页 |
| · 电学特性 | 第18-20
页 |
| · 界面特性 | 第20-21
页 |
| · 高k材料的研究现状 | 第21-26
页 |
| · Hf(Zr)氧化物作为高k替代材料的优势 | 第26-27
页 |
| · 本论文的意义和工作 | 第27-29
页 |
| 参考文献 | 第29-32
页 |
| 第二章 薄膜的制备和表征技术以及相关基本理论 | 第32-61
页 |
| · 高k薄膜的制备工艺 | 第32-40
页 |
| · 常用的制备方法 | 第32-35
页 |
| · 原子层化学气相沉积(ALCVD)方法简介 | 第35-39
页 |
| · 本论文所用到的制备方法 | 第39-40
页 |
| · 高k薄膜的物理性质表征技术 | 第40-47
页 |
| · 薄膜厚度的表征:Ellipsometry | 第40-42
页 |
| · 薄膜晶体结构:X-Ray Diffraction | 第42
页 |
| · 表面分析技术:X-ray Photoelectron Spectroscopy | 第42-43
页 |
| · 薄膜表面形貌:Atomic Force Microscopy | 第43-46
页 |
| · 薄膜微结构分析:Transmission Electron Micoscopy | 第46
页 |
| · 傅里叶变换红外光谱法(FTIR)的测试 | 第46-47
页 |
| · 高k薄膜电学性质 | 第47-59
页 |
| · 电容-电压测量 | 第47-50
页 |
| · 电流-电压测量 | 第50-55
页 |
| · 表征高k薄膜的相关参数 | 第55-59
页 |
| 参考文献 | 第59-61
页 |
| 第三章 Hf基高k薄膜电学性质表征和优化 | 第61-100
页 |
| ·HfO_2基本电学性质的表征 | 第61-68
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| · 引言 | 第61-62
页 |
| · 实验制备 | 第62-63
页 |
| · 结果和讨论 | 第63-68
页 |
| · HfO_2MOS堆栈中的陷阱分布与性质 | 第68-79
页 |
| · 陷阱分布的简单分析 | 第68-73
页 |
| · 陷阱性质 | 第73-79
页 |
| · Hf基高k薄膜电学性质的优化 | 第79-95
页 |
| · HfON相对于HfO_2热稳定性的改善 | 第79-83
页 |
| · HfON-HfO-HfON三明治堆栈结构的电学性质 | 第83-91
页 |
| · 退火对HfON-HfO_2-HfON堆栈的影响(对比于HfO_2薄膜) | 第91-95
页 |
| 参考文献 | 第95-100
页 |
| 第四章 Hf基高k材料的发光和场发射性质表征 | 第100-127
页 |
| · Hf基高k材料的光致发光性质 | 第101-112
页 |
| · HfON覆盖的多孔硅光致发光增强 | 第101-106
页 |
| · 溅射沉积HfON:Tb薄膜的光致发光 | 第106-112
页 |
| · HfON的场发射特性研究 | 第112-123
页 |
| · 引言 | 第112-114
页 |
| · 实验过程 | 第114
页 |
| · 结果与讨论 | 第114-123
页 |
| 参考文献 | 第123-127
页 |
| 结论和展望 | 第127-130
页 |
| 发表论文目录 | 第130-131
页 |
| 致谢 | 第131页 |
