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MEMS封装中的残余应力演化及其相关可靠性研究

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MEMS封装中的残余应力演化及其相关可靠性研究
论文目录
 
中文摘要第1-10 页
引言第10-13 页
第一章 电子封装所致残余应力研究进展第13-31 页
  1.1 适于MEMS微系统的先进封装技术简述第13-16 页
    1.1.1 芯片尺寸封装CSP第14 页
    1.1.2 多芯片组件MCM第14-15 页
    1.1.3 板上芯片封装第15-16 页
  1.2 封装所致应力的分类及其重要性第16-17 页
  1.3 封装残余应力的研究第17-26 页
    1.3.1 压阻效应第17-20 页
    1.3.2 硅压阻芯片的制作第20-21 页
    1.3.3 硅压阻芯片的标定第21-23 页
    1.3.4 基于(111)硅片的压阻理论第23-26 页
  参考文献第26-31 页
第二章 实验样品准备和实验设计第31-46 页
  2.1 实验设计第32-35 页
  2.2 实验装置第35-38 页
  2.3 相关材料的物理参数第38-42 页
  2.4 相关的应力计算公式第42-45 页
  参考文献第45-46 页
第三章 板上芯片封装所致应力的研究第46-67 页
  3.1 基板衬底类型对残余应力的影响第46-54 页
    3.1.1 FR4基板上粘合剂固化过程中芯片的应力变化第48-50 页
    3.1.2 Al_2O_3陶瓷基板上的粘合剂固化过程的应力变化第50-52 页
    3.1.3 不同基板上残余应力分布的比较第52-53 页
    3.1.4 小结第53-54 页
  3.2 粘合剂对板上芯片表面残余应力的影响第54-59 页
    3.2.1 固化过程中的应力演化第55-58 页
    3.2.2 不同粘合剂引起的残余应力分布比较第58 页
    3.2.3 小结第58-59 页
  3.3 板上芯片封装中芯片在基板不同位置的残余应力研究第59-66 页
    3.3.1 不同位置的残余应力分布第60-62 页
    3.3.2 固化和热处理过程中残余应力的演化第62-65 页
    3.3.3 小结第65-66 页
  参考文献第66-67 页
第四章 热处理过程中芯片表面残余应力的演化第67-82 页
  4.1 固化过程中典型位置残余应力的演化第67-72 页
  4.2 再固化过程中芯片表面残余应力的演化第72-74 页
  4.3 在空气中储存20天后热处理时芯片表面残余应力的演化第74-76 页
  4.4 有机粘合剂的热分析第76-80 页
  4.5 小结第80-81 页
  参考文献第81-82 页
第五章 板上芯片封装应力的有限元分析第82-97 页
  5.1 板上芯片封装结构的有限元模型第82-83 页
  5.2 有限元模拟结果第83-95 页
    5.2.1 芯片在基板的不同粘贴位置时残余应力的分布第83-89 页
    5.2.2 基板的厚度对残余应力的影响第89-90 页
    5.2.3 粘合胶的厚度对残余应力的影响第90-91 页
    5.2.4 与实验的比较第91-95 页
  5.3 小结第95-96 页
  参考文献第96-97 页
第六章 全文结论第97-100 页
致谢第100-101 页
发表论文第101-102 页
个人简介第102 页

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