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电子倍增CCD的倍增机理研究

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电子倍增CCD的倍增机理研究

论文目录
摘要	第1-7页
Abstract	第7-12页
1 绪论	第12-32页
· 微光夜视发展概况	第13-20页
· 真空管微光夜视技术	第14-15页
· 全固态微光夜视器件	第15-20页
· 雪崩光电二极管阵列	第16-17页
· 电子倍增电荷耦合器件	第17-20页
· 电子倍增CCD的组成结构及工作原理	第20-28页
· 电子倍增CCD与传统CCD的区别	第20-21页
· 电子倍增CCD的工作原理	第21-25页
· EMCCD实际芯片的组成结构	第25-28页
· 研究全固态高灵敏度EMCCD雪崩倍增机理的意义	第28-30页
· 本文的主要工作以及章节安排	第30-32页
2 电子倍增理论基础	第32-64页
· 载流子的产生机制	第32-36页
· 载流子的热产生	第32-33页
· 电磁辐射产生载流子	第33页
· 带电粒子产生载流子	第33-35页
· 碰撞电离产生载流子	第35-36页
· 载流子的复合机制	第36-37页
· 带间发光直接复合	第37页
· 带间俄歇复合	第37页
· 复合中心的间接复合	第37页
· 载流子的寿命	第37-42页
· 直接半导体中载流子的寿命	第37-39页
· 间接半导体中载流子的寿命	第39-42页
· 载流子的输运理论	第42-47页
· 输运原理	第42-43页
· 输运通道	第43-47页
· CCD基本组成单元	第47-60页
· 理想MOS系统	第47-56页
· 表面电场效应	第48-50页
· 表面空间电荷	第50-53页
· 电容电压特性	第53-56页
· 实际MOS系统	第56-60页
· 电荷的转移	第60-62页
· 本章小结	第62-64页
3 电荷载流子倍增寄存器	第64-79页
· CCM寄存器的基本构造	第65-66页
· CCM寄存器的实际结构	第66-68页
· CCM沟道电势理论计算	第68-71页
· CCM沟道的影响因素分析	第71-75页
· CCM理论计算与仿真实验比较	第75-78页
· 本章小结	第78-79页
4 EMCCD的倍增模型	第79-112页
· 碰撞电离率	第79-94页
· 碰撞电离率模型	第80-85页
· 电离率测试方法	第85-92页
· PIN晶体管测试	第87-90页
· SIT晶体管测试	第90-92页
· 电离率相关因素	第92-94页
· 载流子迁移率	第94-100页
· 主要散射机制	第95-96页
· 多级迁移率模型	第96-100页
· EMCCD简化倍增模型	第100-101页
· 影响倍增的相关因素	第101-110页
· 倍增电压的影响	第101-104页
· 工作温度的影响	第104页
· 掺杂浓度的影响	第104-106页
· 电极结构的影响	第106-109页
· 工作时间的影响	第109-110页
· EMCCD综合倍增模型	第110-111页
· 本章小结	第111-112页
5 EMCCD的倍增性能研究	第112-130页
· 额外噪声因子	第112-117页
· 有限能量模型	第113-114页
· 无限能量模型	第114-117页
· 真实增益	第117-118页
· 暗信号分析	第118-121页
· 热生暗信号	第118-119页
· 时钟感生电荷	第119-121页
· 光谱匹配性能	第121-128页
· 照明方式与量子效率	第122-123页
· 量子效率与光谱匹配	第123页
· 典型景物与光谱匹配	第123-128页
· 图像均匀性比较	第128页
· 本章小结	第128-130页
6 结论与展望	第130-132页
· 结论	第130-131页
· 展望	第131-132页
致谢	第132-133页
攻读博士学位期间发表的学术论文	第133-134页
参考文献	第134-141页

本篇论文共141页，点击这进入下载页面。

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