金属局域表面等离子体增强半导体近紫外发光的研究



金属局域表面等离子体增强半导体近紫外发光的研究

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金属局域表面等离子体增强半导体近紫外发光的研究

论文目录
中文摘要	第1-11页
Abstract	第11-13页
1 文献综述	第13-37页
· 表面等离子体激元(SURFACE PLASMON POLARITONS)	第13-24页
· 表面等离子体激元的定义	第13页
· 自由电子气模型	第13-15页
· 实际金属的介电常数	第15-16页
· 金属界面上的表面等离子体	第16-22页
· 表面等离子体的激发	第22-24页
· 局域的表面等离子体激元(LOCALIZED SURFACE PLASMONS)	第24-33页
· 准静态理论下的LSPs与高阶模式的LSPs	第24-29页
· 影响LSPs共振的因素	第29-32页
· LSPs能量的衰减	第32-33页
· 表面等离子体激元的应用	第33-37页
2 实验设备介绍	第37-47页
· 原子层沉积系统(ALD)	第37-38页
· 原子层沉积的工作原理	第37-38页
· 原子层沉积的工艺优点	第38页
· 分子束外延系统(MBE)	第38-40页
· 分子束外延的工作原理	第38-39页
· 分子束外延的技术优点	第39-40页
· 高分辨X射线衍射技术(HRXRD)	第40-42页
· 高分辨X射线衍射技术的原理	第40-41页
· 高分辨X射线衍射技术的扫描方式	第41-42页
· 扫描电子显微镜(SEM)	第42-43页
· 透射电子显微镜(TEM)	第43页
· 原子力显微镜(AFM)	第43-45页
· 光致发光(PL)	第45-47页
3 金属纳米结构的制备	第47-57页
· 热退火处理	第47-48页
· 电子束刻蚀(EBL)	第48-52页
· 电子束刻蚀的基本原理	第48-50页
· 电子束刻蚀工艺流程	第50-51页
· 电子束刻蚀样品表征	第51-52页
· 聚热离子束刻蚀(FIB)	第52-57页
· 聚焦离子束的基本原理	第52-54页
· 聚焦离子束的操作流程	第54-57页
4 数值计算	第57-73页
· 离散偶极近似法(DDA)	第57-58页
· 时域有限差分法(FDTD)	第58-64页
· 麦克斯韦方程的标量形式	第59-60页
· FDTD差分方程	第60-62页
· 完全匹配层(PML)吸收边界条件	第62-64页
· 时域有限差分法(FDTD)计算结果与讨论	第64-73页
· 颗粒大小的影响	第64-66页
· 形状的影响	第66-68页
· 周围介质的影响	第68-69页
· 入射光偏振态的影响	第69-70页
· 实验设计	第70-73页
5 表面等离子体增强GAN基紫外LED发光	第73-84页
· GAN基紫外LED器件研究现状	第73-74页
· 表面等离子体激元增强GAN基LED发光的进展	第74-79页
· 表面等离子体激元增强紫外LED发光	第79-82页
· 样品生长	第79-81页
· 样品截面的TEM形貌分析	第81-82页
· 金属PT纳米颗粒表面等离子体与近紫外MQWs的耦合	第82-84页
6 表面等离子激元增强ZNO带边发光	第84-97页
· 表面等离子激元增强ZNO发光的进展	第84-86页
· 高质量ZNO薄膜的制备与表征	第86-89页
· 原子层沉积发生长ZnO薄膜	第86-87页
· ZnO薄膜的表面形貌	第87-88页
· 高分辨X射线衍射分析晶体结构	第88页
· InGaN/AlGaN多量子阱的光致发光性能	第88-89页
· 表面等离子体激元耦合提高ZNO发光的研究	第89-91页
· 表面等离子激元增强二极管的发光机理探讨	第91-97页
7 总结	第97-98页
参考文献	第98-106页
博士期间发表论文	第106-107页
致谢	第107 页

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