论文目录 | |
| 摘要 | 第1-9
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| Abstract | 第9-13
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| 第一章 前言 | 第13-25
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| · 自旋电子学的建立 | 第13-18
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| · GMR效应 | 第13-16
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| · 磁隧道结的TMR效应 | 第16-17
页 |
| · 磁性颗粒膜的GMR效应 | 第17-18
页 |
| · 典型自旋电子器件的商业化应用 | 第18-19
页 |
| · 半导体自旋电子器件的研究 | 第19-21
页 |
| · 论文组织及安排 | 第21-25
页 |
| 第二章 Schmidt自旋注入理论 | 第25-33
页 |
| · 自旋注入半导体的模型 | 第25-28
页 |
| · 铁磁金属注入半导体产生的电导失配 | 第28-33
页 |
| 第三章 实验样品的制备与测量 | 第33-41
页 |
| · 薄膜的制备 | 第33-34
页 |
| · 衬底清洗 | 第33
页 |
| · 光刻 | 第33
页 |
| · 磁控溅射 | 第33-34
页 |
| · 样品的成分和结构测量 | 第34-35
页 |
| · X射线衍射(XRD) | 第34-35
页 |
| · 高分辨透射电镜(HETEM) | 第35
页 |
| · 样品的磁特性和输运特性 | 第35-40
页 |
| · 磁性能测试 | 第35-39
页 |
| · 输运特性测量 | 第39-40
页 |
| 参考文献 | 第40-41
页 |
| 第四章 CoZnO非匀质铁磁性半导体的制备及输运特性 | 第41-55
页 |
| · 样品制备 | 第41-42
页 |
| · 成分表征和结构分析 | 第42-44
页 |
| · 样品的磁特性 | 第44-47
页 |
| · 输运特性 | 第47-53
页 |
| 参考文献 | 第53-55
页 |
| 第五章 铁磁性半导体CoZnO注入宽禁带半导体ZnO | 第55-69
页 |
| · 样品制备 | 第56-58
页 |
| · 实验结果 | 第58-60
页 |
| · 对于磁电阻的讨论 | 第60-63
页 |
| · 铁磁金属的各向异性磁电阻的影响 | 第60-61
页 |
| · 单层铁磁半导体CoZnO的磁电阻的影响 | 第61-62
页 |
| · 铁磁性金属注入效应的影响 | 第62-63
页 |
| · 电流自旋极化率的计算 | 第63-65
页 |
| · 总结 | 第65-66
页 |
| 参考文献 | 第66-69
页 |
| 第六章 新型铁磁性半导体／非磁金属／铁磁性半导体结的自旋注入分析 | 第69-91
页 |
| · 热电子注入器件的提出 | 第69-70
页 |
| · 自旋阀三极管原理 | 第70-72
页 |
| · 理论模型和计算 | 第72-75
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| · 偏压相关的电流自旋极化率和磁电阻以及自旋过滤效应 | 第75-87
页 |
| · 铁磁性半导体的自旋极化率β对器件特性的影响 | 第76-79
页 |
| · 自旋相关的Schottky势垒高度差ΔΦ_B对器件特性的影响 | 第79-83
页 |
| · 铁磁性半导体的电导率σ_(msc)对器件特性的影响 | 第83-85
页 |
| · 铁磁性半导体与金属间Schottky势垒高度Φ_B~′对器件特性的影响 | 第85-87
页 |
| · 总结 | 第87-89
页 |
| 参考文献 | 第89-91
页 |
| 发表的学术文章目录 | 第91-93
页 |
| 致谢 | 第93-94
页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第94
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