GaN基黄绿光LED外延生长及多量子阱中载流子输运特性研究



GaN基黄绿光LED外延生长及多量子阱中载流子输运特性研究

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GaN基黄绿光LED外延生长及多量子阱中载流子输运特性研究

论文目录
摘要	第1-5页
Abstract	第5-14页
第一章 Ⅲ-N族化合物材料与器件概述	第14-30页
1.1 引言	第14-15页
1.2 Ⅲ-N族化合物的基本物理特性	第15-21页
1.2.1 晶体结构和基本物理参数	第15-17页
1.2.2 能带结构	第17-20页
1.2.3 Ⅲ-N族化合物的三元及四元合金	第20-21页
1.3 Ⅲ-N族氮化物的极化效应	第21-27页
1.3.1 自发极化	第21-23页
1.3.2 压电极化	第23-26页
1.3.3 极化效应对能带结构的影响	第26-27页
1.4 Ⅲ-N族化合物光电子器件	第27-29页
1.4.1 发光二极管	第27-28页
1.4.2 激光器	第28页
1.4.3 太阳能电池和探测器	第28-29页
1.5 本论文研究内容和安排	第29-30页
第二章实验设备和测试方法介绍	第30-46页
2.1 MOCVD简介	第30-36页
2.1.1 引言	第30-31页
2.1.2 MOCVD设备结构和反应原理	第31-34页
2.1.3 AIXTRON 2400G3 HT设备简介	第34-36页
2.2 测试方法简介	第36-45页
2.2.1 高分辨X射线衍射仪	第36-41页
2.2.2 电荧光测试系统	第41-42页
2.2.3 光致荧光测试系统	第42-43页
2.2.4 连续变波长激发光荧光以及光电流测试	第43-44页
2.2.5 PLE测试系统	第44-45页
2.3 本章小结	第45-46页
第三章复合量子阱提高“Green Gap”范围黄绿光发光强度	第46-66页
3.1 "Green Gap"现象	第46-50页
3.2 实验过程	第50-55页
3.2.1 样品结构设计	第50-51页
3.2.2 复合量子阱结构黄绿光LED性能表征	第51-55页
3.3 复合量子阱结构黄绿光LED与传统量子阱结构黄绿光LED对比	第55-64页
3.3.1 XRD测试结果	第56-57页
3.3.2 室温光致荧光测试结果	第57页
3.3.3 电致荧光测试结果	第57-60页
3.3.4 变温光荧光测量	第60-64页
3.4 本章小结	第64-66页
第四章量子阱中载流子输运特性研究	第66-90页
4.1 引言	第66-75页
4.1.1 半导体光吸收理论	第66-71页
4.1.2 量子阱p-n结中载流子逃逸和反常吸收现象	第71-75页
4.2 提出物理机制	第75-79页
4.3 变波长激发光荧光和光电流实验测量	第79-87页
4.3.1 样品性能表征	第79-81页
4.3.2 样品光电流测量	第81-82页
4.3.3 变波长光荧光测试	第82-86页
4.3.4 光荧光激发超快过程测量	第86-87页
4.4 本章小结	第87-90页
第五章总结	第90-92页
5.1 复合量子阱结构获得“Green Gap”波段高亮度黄绿光	第90-91页
5.2 量子阱中光生载流子输运特性研究	第91-92页
参考文献	第92-106页
个人简历	第106-108页
发表文章目录	第108-110页
致谢	第110-112页

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