论文目录 | |
| 中文摘要 | 第1-4
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| ABSTRACT | 第4-8
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| 第一章 绪论 | 第8-26
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| · GaN 材料的基本性质和应用背景 | 第8-15
页 |
| · GaN 材料的基本性质 | 第8-11
页 |
| · GaN 材料的应用背景 | 第11-15
页 |
| · GaN 基材料器件的研究现状和研究热点 | 第15-22
页 |
| · GaN 基材料电子器件的历史和研究现状 | 第15-17
页 |
| · GaN 基材料器件研究热点 | 第17-22
页 |
| · GaN 基器件肖特基接触材料、结构的研究现状和研究热点 | 第22-24
页 |
| · 本文的主要工作 | 第24-26
页 |
| 第二章 金属半导体肖特基接触的基本理论 | 第26-32
页 |
| · 肖特基接触的原理 | 第26-27
页 |
| · 肖特基接触反向漏电和正向输运机理 | 第27-32
页 |
| · 肖特基接触反向漏电的机制 | 第27-29
页 |
| · 肖特基接触正向输运机制 | 第29-32
页 |
| 第三章 GaN 材料和肖特基二极管的制备和测试 | 第32-44
页 |
| · GaN 基材料的ＭＯＣＶＤ生长 | 第32-36
页 |
| · GaN、Al_xGa_(1-x)N/GaN 肖特基接触的制备 | 第36-39
页 |
| · 金属制备（磁控溅射和电子束蒸发） | 第36-37
页 |
| · 肖特基二极管的制备 | 第37-39
页 |
| · 测试 | 第39-44
页 |
| · 变温I-V 测量 | 第39
页 |
| · C-V 测量 | 第39-40
页 |
| · X 射线衍射分析（XRD） | 第40-44
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| 第四章 插入Al 薄层对Ni/Au/GaN 肖特基接触热稳定性的影响 | 第44-53
页 |
| · 研究肖特基接触热稳定性的意义 | 第44
页 |
| · 肖特基二极管的制备 | 第44-45
页 |
| · 实验结果和分析 | 第45-52
页 |
| · Ni/Au/GaN 肖特基接触的热稳定性 | 第45-48
页 |
| · Ni | 第48-51
页 |
| · 实验结果的分析 | 第51-52
页 |
| · 本章小结 | 第52-53
页 |
| 第五章 Ni/Au与Al_(·)Ga_(·)N/GaN 异质结构间插入Al薄层的肖特基接触的常温漏电和高温漏电机理 | 第53-67
页 |
| · A1_(0.25)Ga_(0.75)N/GaN 肖特基二极管反向漏电研究的意义和进展 | 第53-55
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| · 样品的制作 | 第55-57
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| · 实验结果和分析 | 第57-66
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| · Al 插入层对Ni | 第57-58
页 |
| · Al 插入层对Ni | 第58-61
页 |
| · 实验结果的分析 | 第61-62
页 |
| · Ni/Au 肖特基接触的高温输运机制 | 第62-66
页 |
| · 本章小结 | 第66-67
页 |
| 第六章 A1_(0.25)Ga_(0.75)N/GaN 异质结构上WNx肖特基接触热稳定性的研究 | 第67-79
页 |
| · W 和WNx材料性质和研究意义 | 第67-69
页 |
| · W 和WN x材料的制备 | 第69-71
页 |
| · WNx肖特基二极管的制备 | 第71-72
页 |
| · Al_(·)Ga_(0.75)/GaN 异质结构上 N2和 Ar 气比例不同时 WNx肖特基的热稳定性研究 | 第72-75
页 |
| · WNx/A1_(0.25)Ga_(0.75)N/GaN 肖特基接触的高斯分布 | 第75-78
页 |
| · 本章小结 | 第78-79
页 |
| 第七章 全文总结 | 第79-82
页 |
| 参考文献 | 第82-94
页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第94-95
页 |
| 致谢 | 第95
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