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氮化镓异质结晶体管电荷控制模型与新结构

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氮化镓异质结晶体管电荷控制模型与新结构
论文目录
 
摘要第1-7页
ABSTRACT第7-13页
第一章 绪论第13-27页
  · AlGaN/GaN HFET 概述第13-17页
    · GaN 材料特性第13-15页
    · AlGaN/GaN HFET 的应用第15-17页
  · AlGaN/GaN HFET 发展现状第17-23页
    · 增强型 AlGaN/GaN HFET 的发展第18-22页
    · 国内外研究现状第22-23页
  · 本论文的主要工作及创新第23-27页
    · 立题依据第23-25页
    · 主要工作与创新第25-27页
第二章 AlGaN/GaN HFET 的极化模型第27-46页
  · 极化机理第27-33页
    · 自发极化机理第27-29页
    · 压电极化机理第29-33页
  · AlGaN/GaN HFET 的极化模型第33-38页
    · 压电极化模型第33-35页
    · 自发极化及 AlGaN/GaN 相关参数第35-37页
    · 旋转后极化电荷计算第37-38页
  · 2DEG 产生机理与解析模型第38-45页
    · 2DEG 产生机理第38-40页
    · 肖特基势垒表面钉扎第40-41页
    · 2DEG 的求解第41-45页
  · 本章小结第45-46页
第三章 单异质结 HFET 电荷控制模型与新结构第46-63页
  · 引言第46-47页
  · 单异质结电荷控制模型第47-53页
    · 单异质结电荷控制机理第47-48页
    · 临界厚度与弛豫因子第48-50页
    · 阈值电压 CCM第50-53页
    · 结果讨论与分析第53页
  · 复合阳极 AlGaN/GaN 器件第53-58页
    · 器件的工作机理第54页
    · 器件导通模型第54-56页
    · 结果分析与讨论第56-58页
  · 围栅极异质结晶体管第58-62页
    · 基本原理第59-60页
    · 仿真结果分析与讨论第60-62页
  · 本章小结第62-63页
第四章 双异质结 HFET 电荷控制模型与新结构第63-84页
  · 无掺杂势垒层双异质结电荷控制模型第63-68页
    · 电荷控制模型的基本假设第63-64页
    · 电荷控制模型的建立第64-65页
    · 无掺杂势垒层双异质结结果与讨论第65-68页
  · 掺杂型势垒层双异质结电荷控制模型第68-74页
    · 电荷控制模型的建立第68-70页
    · 电荷控制模型结果分析与讨论第70-71页
    · 新型氟离子注入势垒层 HFET第71-74页
  · 铁电型势垒层双异质结 HFET第74-80页
    · 电荷控制模型的建立第74-76页
    · 计算结果的分析与讨论第76-78页
    · 器件的制备工艺第78页
    · 实验结果分析与讨论第78-80页
  · 多异质结型 GaN 功率晶体管电荷控制模型第80-82页
  · 本章小结第82-84页
第五章 增强型相关异质结器件第84-102页
  · 低导通功耗异质结器件第84-92页
    · 低导通功耗二极管第84-85页
    · 器件结构工作的基本原理第85-87页
    · 结果与讨论第87-92页
  · MIS-HFET 短沟道效应研究第92-97页
    · AlGaN/GaN HFET 短沟道特性第92-93页
    · 短沟道理论与模型第93-96页
    · 正反向工作特性分析第96-97页
  · NMOS 控制 AlGaN/GaN HFET 混合集成器件第97-101页
    · 器件基本结构与工作原理第97-98页
    · 仿真结果分析与讨论第98-101页
  · 本章小结第101-102页
第六章 结论与展望第102-105页
  · 结论第102-104页
  · 下一步工作第104-105页
致谢第105-106页
参考文献第106-118页
附录第118-123页
博士在学期间的研究成果第123-125 页

本篇论文共125页,点击这进入下载页面
 
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