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硅片化学机械抛光中材料去除非均匀性研究

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硅片化学机械抛光中材料去除非均匀性研究
论文目录
 
摘要第1-6页
Abstract第6-11页
1 绪论第11-39页
  · 集成电路发展概述第11-14页
  · 化学机械抛光技术及应用第14-17页
    · 化学机械抛光技术第14-15页
    · 化学机械抛光技术在集成电路制造中的应用第15-16页
    · 化学机械抛光技术的优点第16-17页
  · CMP中的材料去除非均匀性及研究现状第17-37页
    · 制造下一代IC时CMP技术面临的挑战第17-19页
    · CMP中影响材料去除非均匀性的因素第19-20页
    · CMP中的材料去除非均匀性的理论研究第20-31页
    · 基干硅片夹持技术的硅片表面材料去除非均匀性研究第31-37页
  · 研究背景、课题来源和研究意义第37-39页
2 硅片CMP中材料去除率和材料去除非均匀性的影响因素分析第39-53页
  · 转速对材料去除非均匀性的影响分析第40-43页
  · 抛光头径向摆动参数对材料去除非均匀性的影响分析第43-44页
  · 抛光压力对材料去除非均匀性的影响分析第44-51页
    · 基于摩擦学行为的CMP中硅片与抛光垫的接触机制判别第45-47页
    · CMP中硅片与抛光垫直接接触形态研究第47-49页
    · CMP中硅片与抛光垫混合接触形态研究第49-51页
  · 本章小结第51-53页
3 基于保持环技术的硅片CMP接触压力分布非均匀性研究第53-71页
  · 硅片与抛光垫的接触力学模型建立第54-60页
    · 基于直接接触形态的CMP系统接触力学模型建立第54-57页
    · 接触力学模型有限元分析结果第57-60页
  · 基于混合接触形态的CMP系统接触力学模型建立第60-67页
    · 建模假设第60页
    · 二维CMP系统接触模型建立第60-61页
    · 硅片与抛光垫之间的接触应力研究第61-63页
    · 硅片与抛光垫之间的抛光液压力分布研究第63-64页
    · 抛光液压力分布数值计算方法第64-65页
    · 硅片保持环对接触应力分布及抛光液压力分布的影响分析第65-66页
    · 硅片保持环压力对硅片表面接触应力分布的影响分析第66-67页
  · 使用硅片保持环的局限性第67-69页
  · 小结第69-71页
4 采用硅片多区域背压调整方法时的CMP材料去除非均匀性第71-92页
  · 概述第71-72页
  · CMP中硅片多区域压力控制的力学模型建立方案第72-74页
  · 硅片多区域压力控制与调整方式选择第74-76页
  · 硅片多区域压力控制的力学模型建立第76-91页
    · 基于直接接触的硅片多区域压力控制模型第77-80页
    · 基于混合接触形态的硅片多区域压力控制模型第80-91页
  · 本章小结第91-92页
5 基于硅片背部多区域压力控制的化学机械抛光试验台的搭建第92-109页
  · 硅片化学机械抛光试验台总体说明第92-94页
  · 硅片化学机械抛光试验台主要部件第94-107页
    · 化学机械抛光试验台的抛光头驱动以及抛光盘第94页
    · 硅片夹持器组件的设计第94-100页
    · 抛光载荷加载系统设计及标定第100-103页
    · 抛光液输送、搅拌及流量控制装置设计第103-105页
    · 抛光垫多区域温度测量系统设计第105-107页
  · 本章小结第107-109页
6 硅片表面材料去除非均匀性试验与结果分析第109-123页
  · 硅片化学机械抛光试验环境第109页
  · 平面度定义及检测仪器第109-112页
  · 多区域夹持器分区压力控制试验第112-114页
    · 硅片与抛光垫直接接触工况实验第112-113页
    · 硅片与抛光垫混合接触工况试验第113-114页
  · 基于先进过程控制技术的多区域压力调整方法第114-120页
    · APC技术第114页
    · 硅片多区域压力调节夹持器的APC控制策略第114-120页
  · 抛光垫温度检测实验第120-122页
  · 本章小结第122-123页
结论第123-126页
参考文献第126-133页
攻读博士学位期间发表学术论文情况第133-134页
致谢第134-135页
作者简介第135-136 页

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