论文目录 | |
摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-11页 |
1 绪论 | 第11-39页 |
· 集成电路发展概述 | 第11-14页 |
· 化学机械抛光技术及应用 | 第14-17页 |
· 化学机械抛光技术 | 第14-15页 |
· 化学机械抛光技术在集成电路制造中的应用 | 第15-16页 |
· 化学机械抛光技术的优点 | 第16-17页 |
· CMP中的材料去除非均匀性及研究现状 | 第17-37页 |
· 制造下一代IC时CMP技术面临的挑战 | 第17-19页 |
· CMP中影响材料去除非均匀性的因素 | 第19-20页 |
· CMP中的材料去除非均匀性的理论研究 | 第20-31页 |
· 基干硅片夹持技术的硅片表面材料去除非均匀性研究 | 第31-37页 |
· 研究背景、课题来源和研究意义 | 第37-39页 |
2 硅片CMP中材料去除率和材料去除非均匀性的影响因素分析 | 第39-53页 |
· 转速对材料去除非均匀性的影响分析 | 第40-43页 |
· 抛光头径向摆动参数对材料去除非均匀性的影响分析 | 第43-44页 |
· 抛光压力对材料去除非均匀性的影响分析 | 第44-51页 |
· 基于摩擦学行为的CMP中硅片与抛光垫的接触机制判别 | 第45-47页 |
· CMP中硅片与抛光垫直接接触形态研究 | 第47-49页 |
· CMP中硅片与抛光垫混合接触形态研究 | 第49-51页 |
· 本章小结 | 第51-53页 |
3 基于保持环技术的硅片CMP接触压力分布非均匀性研究 | 第53-71页 |
· 硅片与抛光垫的接触力学模型建立 | 第54-60页 |
· 基于直接接触形态的CMP系统接触力学模型建立 | 第54-57页 |
· 接触力学模型有限元分析结果 | 第57-60页 |
· 基于混合接触形态的CMP系统接触力学模型建立 | 第60-67页 |
· 建模假设 | 第60页 |
· 二维CMP系统接触模型建立 | 第60-61页 |
· 硅片与抛光垫之间的接触应力研究 | 第61-63页 |
· 硅片与抛光垫之间的抛光液压力分布研究 | 第63-64页 |
· 抛光液压力分布数值计算方法 | 第64-65页 |
· 硅片保持环对接触应力分布及抛光液压力分布的影响分析 | 第65-66页 |
· 硅片保持环压力对硅片表面接触应力分布的影响分析 | 第66-67页 |
· 使用硅片保持环的局限性 | 第67-69页 |
· 小结 | 第69-71页 |
4 采用硅片多区域背压调整方法时的CMP材料去除非均匀性 | 第71-92页 |
· 概述 | 第71-72页 |
· CMP中硅片多区域压力控制的力学模型建立方案 | 第72-74页 |
· 硅片多区域压力控制与调整方式选择 | 第74-76页 |
· 硅片多区域压力控制的力学模型建立 | 第76-91页 |
· 基于直接接触的硅片多区域压力控制模型 | 第77-80页 |
· 基于混合接触形态的硅片多区域压力控制模型 | 第80-91页 |
· 本章小结 | 第91-92页 |
5 基于硅片背部多区域压力控制的化学机械抛光试验台的搭建 | 第92-109页 |
· 硅片化学机械抛光试验台总体说明 | 第92-94页 |
· 硅片化学机械抛光试验台主要部件 | 第94-107页 |
· 化学机械抛光试验台的抛光头驱动以及抛光盘 | 第94页 |
· 硅片夹持器组件的设计 | 第94-100页 |
· 抛光载荷加载系统设计及标定 | 第100-103页 |
· 抛光液输送、搅拌及流量控制装置设计 | 第103-105页 |
· 抛光垫多区域温度测量系统设计 | 第105-107页 |
· 本章小结 | 第107-109页 |
6 硅片表面材料去除非均匀性试验与结果分析 | 第109-123页 |
· 硅片化学机械抛光试验环境 | 第109页 |
· 平面度定义及检测仪器 | 第109-112页 |
· 多区域夹持器分区压力控制试验 | 第112-114页 |
· 硅片与抛光垫直接接触工况实验 | 第112-113页 |
· 硅片与抛光垫混合接触工况试验 | 第113-114页 |
· 基于先进过程控制技术的多区域压力调整方法 | 第114-120页 |
· APC技术 | 第114页 |
· 硅片多区域压力调节夹持器的APC控制策略 | 第114-120页 |
· 抛光垫温度检测实验 | 第120-122页 |
· 本章小结 | 第122-123页 |
结论 | 第123-126页 |
参考文献 | 第126-133页 |
攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第133-134页 |
致谢 | 第134-135页 |
作者简介 | 第135-136
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