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高压栅极驱动芯片可靠性研究

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高压栅极驱动芯片可靠性研究
论文目录
 
摘要第1-5页
Abstract第5-7页
第一章 绪论第7-21页
  1.1 高压栅极驱动芯片的现状与发展第7-13页
  1.2 高低压兼容工艺的现状与发展第13-18页
  1.3 本论文的主要工作与意义第18-21页
第二章 高压栅极驱动芯片的高可靠隔离结构研究第21-45页
  2.1 高低压隔离技术第21-27页
  2.2 新型双N阱辅助耗尽Divided-RESURF隔离结构第27-32页
  2.3 高低压隔离结构的高温反偏应力退化研究第32-43页
  2.4 优化后内嵌LDMOS器件的隔离结构的高温反偏应力考核结果第43-44页
  2.5 本章小结第44-45页
第三章 高压栅极驱动芯片的抗噪能力研究第45-67页
  3.1 抗瞬态v_s负过冲应力研究第45-50页
  3.2 瞬态v_s负过冲提升技术新方法及电路实现第50-52页
  3.3 抗dvs/dt噪声研究第52-59页
  3.4 新型双脉冲电容负载型电平移位电路设计第59-64页
  3.5 本章小结第64-67页
第四章 高可靠600V栅极驱动芯片设计第67-97页
  4.1 输入级电路设计第67-74页
  4.2 脉冲产生电路设计第74-78页
  4.3 欠压保护与延时电路设计第78-83页
  4.4 抗静电保护结构设计第83-87页
  4.5 全芯片电路与仿真第87-89页
  4.6 版图设计与流片第89-95页
  4.7 本章小结第95-97页
第五章 高压栅极驱动芯片测试与考核第97-113页
  5.1 电学参数测试系统研究与测试第97-106页
  5.2 可靠性测试系统研究与测试第106-110页
  5.3 应用系统测试第110-112页
  5.4 本章小结第112-113页
第六章 总结与展望第113-115页
  6.1 总结第113-114页
  6.2 展望第114-115页
致谢第115-117页
参考文献第117-127页
博士期间研究成果第127-130页

本篇论文共130页,点击这进入下载页面
 
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