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半导体材料的锁相载流子辐射成像
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半导体材料的锁相载流子辐射成像
论文目录
 
摘要第1-7页
ABSTRACT第7-12页
第一章 绪论第12-29页
　　1.1 研究工作的背景与意义第12-14页
　　　　1.1.1 半导体检测技术的需求第12-13页
　　　　1.1.2 重要物理参数——载流子输运参数第13页
　　　　1.1.3 现有检测技术的分类及比较第13-14页
　　1.2 国内外研究现状与发展趋势第14-26页
　　　　1.2.1 光电导衰减技术第14-15页
　　　　1.2.2 锁相热波成像技术第15-19页
　　　　1.2.3 光致发光技术第19-21页
　　　　1.2.4 锁相载流子成像技术第21-26页
　　1.3 本文的主要贡献与创新第26-27页
　　1.4 本论文的结构安排第27-29页
第二章 光载流子辐射测量理论第29-51页
　　2.1 硅片的载流子输运理论第29-35页
　　　　2.1.1 载流子扩散方程第29-33页
　　　　2.1.2 频域扩散场问题的解第33-35页
　　2.2 硅太阳能电池的载流子输运理论第35-38页
　　2.3 载流子辐射复合理论第38-44页
　　　　2.3.1 零差PCR信号第38-42页
　　　　　　2.3.1.1 零差幂函数模型第39-40页
　　　　　　2.3.1.2 零差n-p product模型第40-42页
　　　　2.3.2 外差PCR信号第42-44页
　　　　　　2.3.2.1 外差幂函数模型第43页
　　　　　　2.3.2.2 外差n-p product模型第43-44页
　　2.4 等效载流子寿命模型第44-50页
　　　　2.4.1 稳态等效载流子寿命第45-48页
　　　　2.4.2 频域等效载流子寿命第48-50页
　　2.5 本章小结第50-51页
第三章 PCR信号特性的仿真分析第51-83页
　　3.1 载流子密度波的频响仿真第51-68页
　　　　3.1.1 调制频率的影响第52-54页
　　　　3.1.2 光学参数的影响第54-57页
　　　　3.1.3 载流子输运参数的影响第57-68页
　　　　　　3.1.3.1 体寿命的影响第58-62页
　　　　　　3.1.3.2 扩散系数的影响第62-65页
　　　　　　3.1.3.3 表面复合速率的影响第65-68页
　　3.2 硅片的PCR信号频响仿真第68-75页
　　　　3.2.1 零差PCR信号第68-71页
　　　　3.2.2 外差PCR信号第71-75页
　　3.3 硅太阳能电池的PCR信号频响仿真第75-81页
　　3.4 本章小结第81-83页
第四章 实验及结果分析第83-108页
　　4.1 实验系统及校正第83-88页
　　　　4.1.1 基于单点探测器的PCR实验系统第83-84页
　　　　4.1.2 基于相机的LIC实验系统第84-86页
　　　　4.1.3 相机系统的校正第86-88页
　　4.2 硅片的LIC成像第88-101页
　　　　4.2.1 信号非线性特征第88-92页
　　　　4.2.2 零差低频成像第92-95页
　　　　4.2.3 外差高频成像第95-101页
　　4.3 硅太阳能电池的LIC成像第101-106页
　　　　4.3.1 定性成像分析第101-103页
　　　　4.3.2 定量成像分析第103-106页
　　4.4 本章小结第106-108页
第五章 全文总结与展望第108-110页
　　5.1 全文总结第108-109页
　　5.2 后续工作展望第109-110页
致谢第110-111页
参考文献第111-123页
攻读博士学位期间取得的成果第123-124页

本篇论文共124页，点击这进入下载页面。
 
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