论文目录 | |
前言 | 第1-5页 |
中文摘要 | 第5-12页 |
Abstract | 第12-24页 |
英文缩写 | 第24-26页 |
第一章 文献综述 | 第26-48页 |
1.0 适应性反应 | 第26-27页 |
1.1 电离辐射诱导的适应性反应 | 第27-28页 |
1.2 其它环境因子诱导的适应性反应 | 第28-31页 |
1.3 低剂量辐射诱导适应性反应的机制 | 第31-35页 |
1.4 三维培养( Three-dimensional cell culture, 3-DCC) | 第35-38页 |
1.5 H2AX基因 | 第38-40页 |
1.6 P53基因 | 第40-42页 |
1.7 PKC 和MAPK信号通路 | 第42-43页 |
1.8 ATM和DNAPK信号通路 | 第43-44页 |
1.9 p21基因 | 第44-45页 |
1.10 肿瘤微环境 | 第45-48页 |
第二章 材料与方法 | 第48-60页 |
2.1 主要试剂及器材 | 第48-50页 |
2.1.1 试剂 | 第48-49页 |
2.1.2 器材 | 第49-50页 |
2.2 主要仪器 | 第50页 |
2.3 主要实验材料和方法 | 第50-59页 |
2.3.1 细胞株 | 第50-51页 |
2.3.2 0.25%的胰酶配制 | 第51-52页 |
2.3.3 抗体和试剂 | 第52页 |
2.3.4 照射条件 | 第52页 |
2.3.5 Western blot | 第52-57页 |
2.3.6 三维培养细胞的免疫荧光分析 | 第57页 |
2.3.7 二维培养细胞的免疫荧光分析 | 第57-58页 |
2.3.8 DAPI染色技术 | 第58页 |
2.3.9 鬼笔环肽染色技术(pholloidin staining) | 第58-59页 |
2.4 结果统计分析 | 第59-60页 |
第三章 实验结果 | 第60-78页 |
3.1 电离辐射诱导RMP-4成纤维细胞DNA双链断裂分析 | 第60-63页 |
3.1.1 X射线照射RMP-4细胞后γ-H2AX基因时程变化分析 | 第60-62页 |
3.1.2 X射线照射RMP-4细胞后γ-H2AX基因量效变化分析 | 第62-63页 |
3.2 低剂量电离辐射诱导成纤维细胞株RMP-4的适应性反应及机制研究 | 第63-65页 |
3.2.1 免疫荧光分析低剂量电离辐射诱导RMP-4的适应性反应 | 第63-64页 |
3.2.2 Western-Blot分析低剂量电离辐射诱导RMP-4的适应性反应机制 | 第64-65页 |
3.3 低剂量电离辐射诱导成纤维细胞株IMR -90的适应性反应及机制研究 | 第65-69页 |
3.3.1 免疫荧光分析低剂量电离辐射诱导IMR-90的适应性反应 | 第65-68页 |
3.3.2 Western-Blot分析低剂量电离辐射诱导成纤维细胞株IMR-90的适应性反应机制 | 第68-69页 |
3.4 低剂量电离辐射诱导成纤维细胞株MEF的适应性反应及机制研究 | 第69-73页 |
3.4.1 免疫荧光法分析低剂量电离辐射诱导MEF的适应性反应 | 第69-72页 |
3.4.2 Western-Blot分析低剂量电离辐射诱导MEF的适应性反应 | 第72-73页 |
3.5 不同剂量率电离辐射对2-D及3-D培养条件下成纤维细胞株RMP-4内γ-H2AX基因表达影响分析 | 第73-75页 |
3.5.1 2-D培养条件下不同剂量率电离辐射对γ-H2AX基因表达的影响分析 | 第73-74页 |
3.5.2 3-D培养条件下不同剂量率电离辐射对γ-H2AX基因表达的影响分析 | 第74页 |
3.5.3 2-D及3-D培养条件下不同剂量率电离辐射对γ-H2AX基因表达的对比分析 | 第74-75页 |
3.6 电离辐射在2-D和3-D培养条件下对成纤维细胞株RMP-4形态影响的比较分析 | 第75-76页 |
3.7 电离辐射在2-D和3-D培养条件下诱导成纤维细胞株RMP-4适应性反应的比较分析 | 第76-78页 |
第四章 讨论 | 第78-86页 |
4.1 电离辐射诱导RMP-4成纤维细胞DNA双链断裂研究 | 第79-81页 |
4.2 在2-D及3-D培养条件下电离辐射诱导成纤维细胞适应性反应研究 | 第81-83页 |
4.3 电离辐射对2-D和3-D培养条件下细胞形态影响的比较 | 第83-84页 |
4.4 研究展望 | 第84-86页 |
第五章 结论 | 第86-88页 |
参考文献 | 第88-106页 |
导师简介 | 第106页 |
学术专长 | 第106页 |
学术兼职 | 第106-108页 |
作者简介及在读期间取得的成果 | 第108-112页 |
致谢 | 第112-113页 |