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AlGaInP LED转移衬底和可靠性的研究

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AlGaInP LED转移衬底和可靠性的研究
论文目录
 
摘要第1-6页
ABSTRACT第6-10页
第1章 绪论第10-36页
  · 半导体照明的背景第10-13页
    · 引言第10-11页
    · 半导体照明国际形势第11-12页
    · 半导体照明国内形势第12-13页
  · 照明光源的发展简史第13-17页
    · 照明技术的变迁第13-14页
    · 发光二极管的发展历史与现状第14-17页
  · 发光二极管的应用第17-25页
    · 发光二极管的白光实现方式第17-19页
    · 发光二极管的优点与应用第19-25页
  · AlGaInP LED第25-35页
    · AlGaInP LED 简介第25-26页
    · AlGaInP LED 问题与解决方案第26-30页
    · 转移衬底AlGaInP LED 的研究进展第30-35页
  · 本论文的主要研究内容第35-36页
第2章 转移衬底的AlGaInP LED第36-52页
  · LED 相关理论第36-42页
    · LED 发光原理第36-38页
    · LED 中载流子的复合第38-40页
    · LED 器件特征参数第40-42页
  · 转移衬底的 LED 工艺介绍第42-45页
    · 转移衬底的薄膜LED 简介第42-43页
    · 转移衬底AlGaInP LED 工艺第43-45页
  · 转移衬底AlGaInP LED 光子的路径第45-47页
  · AlGaInP LED 的电流扩展第47-51页
    · 电流扩展的理论计算第47-49页
    · 转移衬底AlGaInP LED 电流扩展第49页
    · 电极形状第49-51页
  · 本章小节第51-52页
第3章 转移衬底AlGaInP LED 晶片键合的研究第52-70页
  · 晶片键合简介第52-55页
    · 晶片键合方法第52-54页
    · 键合质量的检测第54-55页
  · 晶片表面形貌对键合的影响第55-59页
    · 晶片表面形貌与键合接触面积第55-56页
    · 晶片接触模型第56-59页
  · 转移衬底的LED 工艺中的键合第59-62页
    · 转移衬底的LED 工艺中的键合方式第59-60页
    · Au-In,Ag-In 键合第60-61页
    · Au-Au 键合第61-62页
  · 键合技术中主要影响因素研究第62-67页
    · 石墨片对键合结果的影响第63-64页
    · 键合出现的问题第64-66页
    · 冷却速率对键合的影响第66-67页
  · AlGaInP LED 中温度对键合的影响第67-68页
  · 本章小结第68-70页
第4章 转移衬底AlGaInP LED 中关键工艺的研究第70-90页
  · 反射镜第70-81页
    · 反光镜的分类第70-72页
    · AlGaInP LED 中不同反光镜的研究第72-78页
    · ITO ODR LED 中不同ITO 厚度的研究第78-81页
  · AlGaInP 外延层中光子的吸收第81-83页
  · AlGaInP LED 中不同GaP 厚度的影响第83-85页
  · 转移衬底的AlGaInP LED 粗化第85-88页
    · 粗化增加光输出的原理第85-86页
    · 转移衬底的AlGaInP LED 粗化第86-88页
  · 本章小结第88-90页
第5章 AlGaInP LED 可靠性的研究第90-110页
  · LED 可靠性第90-96页
    · LED 可靠性简介第90-91页
    · LED 参数与结温的关系第91-94页
    · LED 寿命与可靠性第94-96页
  · 新型高亮度AlGaInP LED 的可靠性研究第96-102页
    · AlGaInP LED 特性随电流变化研究第96-99页
    · 新型高亮度AlGaInP LED 电压升高现象研究第99-102页
  · 加速寿命试验第102-107页
    · 加速寿命试验的理论依据第103-104页
    · 新型高亮度AlGaInP LED 温度应力老化试验第104-105页
    · 新型高亮度AlGaInP LED 电流加速老化寿命试验第105-107页
  · 本章小结第107-110页
结论第110-112页
参考文献第112-122页
攻读博士学位期间所发表的学术论文第122-124页
致谢第124页

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