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SiC纳米阵列结构调控及其场发射特性研究

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SiC纳米阵列结构调控及其场发射特性研究
论文目录
 
致谢第1-5页
摘要第5-6页
Abstract第6-16页
1 引言第16-18页
2 文献综述第18-48页
  · SiC纳米材料简介第18-28页
    · SiC的晶体结构第18-19页
    · SiC纳米材料的物理特性及应用第19-21页
    · SiC纳米结构的研究进展第21-26页
    · SiC纳米结构的掺杂改性第26-28页
  · 场发射理论简介及应用第28-35页
    · 场发射简介第28-30页
    · 影响场发射的因素第30-31页
    · 场发射性能的测试与表征第31-32页
    · 场发射理论的应用第32-35页
  · 场发射阴极材料的研究进展第35-48页
    · 场发射阴极材料的发展第35-36页
    · 场发射阴极材料的基本要素第36页
    · 纳米阵列场发射阴极的研究进展第36-48页
3 研究内容与研究方法第48-54页
  · 实验原料和设备第48-50页
    · 实验原料第48页
    · 固化和热解设备第48-50页
  · 实验分析测试方法第50-52页
    · 形貌结构表征方法第50页
    · 场发射性能表征第50-52页
  · 主要研究内容第52-54页
4 SiC纳米线生长及掺杂第54-66页
  · 引言第54-55页
  · 实验方案第55页
  · 实验结果与讨论第55-65页
    · SiC纳米线生长第55-59页
    · SiC纳米线n型掺杂第59-62页
    · SiC纳米线p型掺杂第62-65页
  · 小结第65-66页
5 SiC纳米阵列的生长与结构调控第66-74页
  · 引言第66-67页
  · 实验方案第67页
  · 实验结果与讨论第67-72页
    · 衬底对SiC纳米阵列生长的影响第67-69页
    · 催化剂对SiC纳米阵列生长的影响第69-70页
    · 降温速率对SiC纳米阵列生长的影响第70-72页
  · 小结第72-74页
6 n型SiC纳米阵列的制备及其场发射性能第74-90页
  · 引言第74-75页
  · 实验方案第75-76页
  · 实验结果与讨论第76-88页
    · n型SiC纳米阵列的形貌及结构表征第76-79页
    · n型SiC纳米阵列的场发射性能第79-88页
  · 小结第88-90页
7 SiC纳米阵列的密度调控及其场发射性能第90-100页
  · 引言第90-91页
  · 实验方案第91页
  · 实验结果与讨论第91-98页
    · SiC纳米阵列的密度调控及形貌结构表征第91-94页
    · SiC纳米阵列密度对其场发射性能的影响第94-98页
  · 小结第98-100页
8 p型SiC纳米阵列的制备及其场发射性能第100-112页
  · 引言第100-101页
  · 实验方案第101页
  · 实验结果与讨论第101-110页
    · p型SiC纳米阵列的形貌及结构表征第101-104页
    · p型SiC纳米阵列的场发射性能第104-110页
  · 小结第110-112页
9 结论第112-114页
10 创新点第114-116页
11 展望第116-117页
参考文献第117-134页
作者简历及在学研究成果第134-138页
第138页

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