一维纳米结构电子输运性质的理论研究



一维纳米结构电子输运性质的理论研究

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一维纳米结构电子输运性质的理论研究

论文目录
摘要	第1-4页
Abstract	第4-9页
第一章绪论	第9-30页
· 纳米电子学的诞生	第9页
· 介观体系的电子输运	第9-12页
· 单电子隧穿(SET)	第10-11页
· 负微分电阻(NDR)	第11页
· 分子整流效应	第11-12页
· 纳米电子器件的实验研究	第12-16页
· 直接刻蚀烧蚀法	第12-15页
· 有序自组装法	第15-16页
· 纳米电子器件的理论方法	第16-21页
· 散射矩阵法	第17-20页
· 非平衡格林函数方法（NEGF）	第20-21页
· 本论文的内容和意义	第21-22页
· 参考文献	第22-30页
第二章密度泛函理论和非平衡格林函数方法	第30-49页
· 引言	第30页
· 密度泛函理论	第30-37页
· 波恩-奥本海默近似	第30页
· 哈特里-福克方程	第30-32页
· 托马斯-费米近似	第32-33页
· Hohenberg-Kohn 理论	第33-34页
· Kohn-Sham 方程	第34-36页
· 交换相关能泛函	第36-37页
· 非平衡格林函数理论	第37-44页
· Landauer 输运理论	第37-40页
· 非平衡格林函数方法	第40-41页
· 矩阵形式的非平衡格林函数方法	第41-42页
· DFT+NEGF 方法	第42-44页
· 本论文用到的基于密度泛函理论的软件包	第44-45页
· 参考文献	第45-49页
第三章耦合量子点的电子输运	第49-67页
· 引言	第49页
· 量子点链的耦合情况分析	第49-56页
· 理论模型	第49-52页
· 量子点链中的电子输运	第52-56页
· 多体相互作用下的双量子点	第56-65页
· 模型构造	第56-59页
· QD 间e-e 相互作用的影响	第59-65页
· 结论	第65-66页
· 参考文献	第66-67页
第四章有机分子的电子输运性质	第67-80页
· 引言	第67页
· 三种芳香环分子的电子输运	第67-77页
· 分子电子器件	第67-68页
· 分子器件中的NDR 现象	第68-69页
· 模型构造	第69-70页
· 结果和讨论	第70-77页
· 结论	第77-78页
· 参考文献	第78-80页
第五章一维硅纳米线的电子结构和输运性质	第80-111页
· 引言	第80-81页
· Si 常见的晶向及表面	第81-84页
· SiNW 的横截面和形成能	第84-86页
· Si 纳米链的输运性质	第86-92页
· 模型构造	第86-87页
· 纳米链的稳定性	第87-89页
· 纳米链的电子输运性质	第89-92页
· 有限截面纳米线的输运性质	第92-107页
· 电子结构	第92-98页
· 有限截面纳米线的电子输运	第98-107页
· 结论	第107-108页
· 参考文献	第108-111页
第六章总结和展望	第111-113页
发表文章目录	第113-115页
致谢	第115-117页

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