论文目录 | |
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-14页 |
| 第1章 绪论 | 第14-48页 |
| 1.1 新型二维材料的性质与应用 | 第14-22页 |
| 1.1.1 石墨烯的物理化学性质 | 第14-15页 |
| 1.1.2 石墨烯的合成方法及其应用 | 第15-18页 |
| 1.1.3 二硫化钼的结构和性质 | 第18-19页 |
| 1.1.4 二硫化钼的合成与应用 | 第19-22页 |
| 1.2 氧化物半导体材料简介 | 第22-27页 |
| 1.2.1 二氧化钛材料简介 | 第22-25页 |
| 1.2.2 氧化锌材料简介 | 第25-27页 |
| 1.3 二维材料/氧化物复合体系研究进展 | 第27-32页 |
| 1.3.1 石墨烯/二氧化钛复合材料研究进展 | 第27-29页 |
| 1.3.2 二硫化钼/二氧化钛复合材料研究进展 | 第29-30页 |
| 1.3.3 石墨烯/氧化锌复合材料研究进展 | 第30-32页 |
| 1.4 本论文的研究工作 | 第32-34页 |
| 参考文献 | 第34-48页 |
| 第2章 石墨烯与金红石型TiO_2单晶清洁界面的构筑及性质研究 | 第48-68页 |
| 2.1 背景介绍 | 第48-49页 |
| 2.2 实验方法 | 第49-51页 |
| 2.2.1 原子级平整的r-TiO_2单晶表面的制备 | 第49-50页 |
| 2.2.2 石墨烯的合成 | 第50页 |
| 2.2.3 表征手段 | 第50-51页 |
| 2.3 实验结果 | 第51-58页 |
| 2.4 讨论 | 第58-63页 |
| 2.4.1 生长条件的优化 | 第58-59页 |
| 2.4.2 生长机理以及衬底的作用 | 第59-60页 |
| 2.4.3 石墨烯与r-TiO_2衬底间的相互作用 | 第60-63页 |
| 2.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 第3章 基于界面控制增强石墨烯/锐钛矿型TiO_2纳米复合材料的光催化活性 | 第68-90页 |
| 3.1 背景介绍 | 第68-69页 |
| 3.2 实验方法 | 第69-72页 |
| 3.2.1 材料 | 第69页 |
| 3.2.2 锐钛矿型TiO_2纳米片的制备 | 第69-70页 |
| 3.2.3 G/a-TiO_2纳米复合材料的制备 | 第70页 |
| 3.2.3.1 石墨烯在a-TiO_2微晶表面的CVD生长 | 第70页 |
| 3.2.3.2 氧化石墨烯与a-TiO_2微晶的物理混合 | 第70页 |
| 3.2.4 光催化活性测量 | 第70-71页 |
| 3.2.5 G/a-TiO_2复合物的光电流测量 | 第71页 |
| 3.2.6 表征方法 | 第71-72页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第72-82页 |
| 3.3.1 G/a-TiO_2纳米复合材料的合成与表征 | 第72-78页 |
| 3.3.2 G/a-TiO_2界面处的电子动力学 | 第78-79页 |
| 3.3.3 G/a-TiO_2纳米复合材料的光催化活性测试 | 第79-82页 |
| 3.4 本章小结 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-90页 |
| 第4章 石墨烯复合ZnO并诱导发生荧光淬灭及光催化活性增强 | 第90-114页 |
| 4.1 背景介绍 | 第90-91页 |
| 4.2 实验方法 | 第91-93页 |
| 4.2.1 材料 | 第91页 |
| 4.2.2 微米尺寸ZnO纳米棒的合成 | 第91页 |
| 4.2.3 ZnO纳米颗粒的制备 | 第91-92页 |
| 4.2.4 石墨烯ZnO复合材料的合成 | 第92页 |
| 4.2.5 氧化石墨烯和ZnO复合材料的制备 | 第92页 |
| 4.2.6 光催化活性测试 | 第92页 |
| 4.2.7 表征方法 | 第92-93页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第93-106页 |
| 4.3.1 石墨烯生长在ZnO纳米晶体上的表征 | 第93-98页 |
| 4.3.2 G/ZnO复合材料的性能 | 第98-104页 |
| 4.3.3 G/ZnO复合材料的光催化活性 | 第104-106页 |
| 4.4 本章小结 | 第106-108页 |
| 参考文献 | 第108-114页 |
| 第5章 金红石型TiO_2(110)表面单层MoS_2的制备及其界面性质研究 | 第114-138页 |
| 5.1 背景介绍 | 第114-115页 |
| 5.2 实验方法 | 第115-116页 |
| 5.2.1 实验所需材料 | 第115页 |
| 5.2.2 原子级平整的r-TiO_2(110)表面的制备 | 第115页 |
| 5.2.3 单层MoS_2的CVD制备 | 第115-116页 |
| 5.2.4 表征手段 | 第116页 |
| 5.3 实验结果与讨论 | 第116-130页 |
| 5.3.1 MoS_2/TiO_2(110)的制备与表征 | 第116-123页 |
| 5.3.2 MoS_2与r-TiO_2(110)衬底之间的相互作用 | 第123-128页 |
| 5.3.3 MoS_2/TiO_2(110)复合体系的光电效应 | 第128-130页 |
| 5.4 本章小结 | 第130-132页 |
| 参考文献 | 第132-138页 |
| 第6章 表面预掺杂法在金红石型TiO_2(110)表面可控制备大面积高质量单层MoS_2的研究 | 第138-158页 |
| 6.1 背景介绍 | 第138-139页 |
| 6.2 实验方法 | 第139-140页 |
| 6.2.1 实验所需材料 | 第139页 |
| 6.2.2 原子级平整的r-TiO_2(110)表面的制备 | 第139页 |
| 6.2.3 利用物理气相沉积(PVD)法制备MoO_(3-x)/TiO_2(110)样品 | 第139页 |
| 6.2.4 二次硫化法制备均匀的单层MoS_2 | 第139-140页 |
| 6.2.5 表征方法 | 第140页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第140-151页 |
| 6.3.1 MoO_(3-x)/TiO_2(110)的表征与分析 | 第140-143页 |
| 6.3.2 MoS_2/MoO_(3-x)/TiO_2(110)的表征与分析 | 第143-148页 |
| 6.3.3 MoS_2的制备与尺寸控制 | 第148-150页 |
| 6.3.4 r-TiO_2(110)表面生长MoS_2的机理 | 第150-151页 |
| 6.4 本章小结 | 第151页 |
| 6.5 本章展望 | 第151-152页 |
| 参考文献 | 第152-158页 |
| 致谢 | 第158-160页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第160页 |
