铝掺杂氧化锌透明薄膜之制备及其在氮化镓基发光二极管之应用 |
论文目录 | | | 摘要 | 第1-6页 | | ABSTRACT | 第6-14页 | | 第一章 绪论 | 第14-38页 | | · 透明导电氧化物(TCO)薄膜概述 | 第14-17页 | | · ZnO和AZO薄膜的基本性质 | 第17-22页 | | · ZnO的基本性质 | 第17-19页 | | · AZO薄膜的基本性质 | 第19-22页 | | · AZO导电膜的研究现状和发展趋势 | 第22-28页 | | · AZO导电膜的国际研究现状 | 第24-26页 | | · AZO导电膜的国内研究现状 | 第26-28页 | | · 本文主要内容及组织结构 | 第28-30页 | | 参考文献 | 第30-38页 | | 第二章 AZO薄膜制备方法与表征方法 | 第38-60页 | | · AZO薄膜制备方法 | 第38-45页 | | · 磁控溅射 | 第38-40页 | | · 电子束蒸发 | 第40-41页 | | · 化学气相沉积 | 第41-42页 | | · 脉冲激光沉积 | 第42-43页 | | · 其他几种生长方法 | 第43-45页 | | · AZO薄膜测试与表征方法 | 第45-56页 | | · 四探针法 | 第46-47页 | | · Hall效应与Van de Pauw方法 | 第47-48页 | | · 表面轮廓仪法 | 第48页 | | · 原子力显微镜 | 第48-49页 | | · X射线衍射方法 | 第49-51页 | | · 紫外—可见分光光度计 | 第51-52页 | | · 俄歇电子能谱仪与X射线光电子能谱仪 | 第52-53页 | | · 扫描电子显微镜 | 第53页 | | · 光致发光谱(PL)方法 | 第53-56页 | | 参考文献 | 第56-60页 | | 第三章 AZO薄膜制备、测试与分析 | 第60-101页 | | · AZO透明导电薄膜生长机理 | 第60-62页 | | · AZO薄膜样品制备工艺 | 第62-65页 | | · AZO薄膜的测试与分析 | 第65-83页 | | · 溅射射频功率对AZO薄膜性能的影响 | 第65-72页 | | · 溅射Ar气压强对AZO薄膜性能的影响 | 第72-76页 | | · 衬底与靶间距对AZO薄膜性能的影响 | 第76-78页 | | · 厚度对AZO薄膜性能的影响 | 第78-83页 | | · 退火对AZO薄膜性能的影响 | 第83-91页 | | · N_2氛围退火对AZO薄膜性能的影响 | 第83-87页 | | · N_2/H_2氛围退火对AZO薄膜性能的影响 | 第87-91页 | | · 金属(Ni,Ag,Pt)/AZO双层薄膜的制备 | 第91-96页 | | · 本章总结 | 第96-97页 | | 参考文献 | 第97-101页 | | 第四章 AZO透明电极p-GaN基欧姆接触 | 第101-114页 | | · 金属-半导体接触 | 第101-107页 | | · 金属-半导体接触基本原理 | 第101-103页 | | · 比接触电阻的测试 | 第103-105页 | | · p-GaN欧姆接触与电流扩散层 | 第105-107页 | | · 透明导电层 | 第107页 | | · AZO/Ni,Pt,Ag/GaN欧姆接触的制备、测试与分析 | 第107-111页 | | · 制备工艺 | 第107-109页 | | · 测试与分析 | 第109-111页 | | · 本章总结 | 第111-112页 | | 参考文献 | 第112-114页 | | 第五章 AZO透明电极GaN基LED的制备与测试 | 第114-128页 | | · AZO透明电极GaN基蓝光发光二极管的研制 | 第115-122页 | | · 制备工艺 | 第115-117页 | | · 测试与分析 | 第117-122页 | | · AZO透明电极GaN基近紫外-紫光发光二极管的研制 | 第122-126页 | | · 制备工艺 | 第122-123页 | | · 测试与分析 | 第123-125页 | | · 本章总结 | 第125-126页 | | 参考文献 | 第126-128页 | | 第六章 工作总结与展望 | 第128-132页 | | · 工作总结 | 第128-131页 | | · 将来研究计划 | 第131-132页 | | 附录 博士期间发表论文 | 第132-134页 | | 致谢 | 第134页 |
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