退火工艺对CdSe薄膜结晶性能的影响研究



退火工艺对CdSe薄膜结晶性能的影响研究

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退火工艺对CdSe薄膜结晶性能的影响研究

论文目录
摘要	第5-6页
ABSTRACT	第6-8页
第1章前言	第8-12页
1.1 CdSe半导体材料的研究意义	第8-9页
1.2 CdSe半导体材料的研究现状	第9-10页
1.3 本论文研究的主要内容	第10-12页
第2章 CdSe薄膜的制备及退火原理	第12-19页
2.1 实验设备及原理	第12-14页
2.1.1 真空镀膜机及工作原理	第12-13页
2.1.2 管式退火炉及工作原理	第13-14页
2.2 蒸发电流对CdSe薄膜结晶性能的影响研究	第14-18页
2.2.1 CdSe薄膜制备	第14-15页
2.2.2 表面形貌	第15-16页
2.2.3 表面粗糙度	第16-17页
2.2.4 结构分析	第17-18页
2.3 小结	第18-19页
第3章退火温度对CdSe薄膜的结晶性能影响研究	第19-24页
3.1 退火实验	第19页
3.2 结果与讨论	第19-23页
3.2.1 结构分析	第19-20页
3.2.2 表面形貌测试	第20-22页
3.2.3 薄膜成份分析	第22-23页
3.3 小结	第23-24页
第4章退火时间对CdSe薄膜结晶性能的影响研究	第24-34页
4.1 保温时间对CdSe薄膜结晶性能的影响研究	第24-27页
4.1.1 退火实验	第24页
4.1.2 XRD分析	第24-26页
4.1.3 表面形貌观察	第26-27页
4.1.4 小结	第27页
4.2 降温时间对CdSe薄膜结晶性能的影响研究	第27-34页
4.2.1 退火实验	第27页
4.2.2 XRD分析	第27-28页
4.2.3 表面形貌观察	第28-29页
4.2.4 XPS测试	第29-33页
4.2.5 小结	第33-34页
结论	第34-36页
参考文献	第36-40页
致谢	第40-42页
在学期间的科研情况	第42页

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