宽带隙半导体材料CdM2X4（M=Ga,Al X=S,Se）光电特性理论研究 |
论文目录 | | | 摘要 | 第1-5页 | | ABSTRACT | 第5-9页 | | 第一章 绪论 | 第9-13页 | | · 半导体材料的分类与发展 | 第9-10页 | | · 三元半导体材料的研究现状 | 第10-11页 | | · 本论文的研究背景和研究意义 | 第11-13页 | | 第二章 理论基础及CASTEP软件包简介 | 第13-27页 | | · 三个基本假设 | 第13-16页 | | · 价电子近似 | 第14页 | | · 绝热近似 | 第14-15页 | | · 哈特利-福克（Hartree-Fock）近似 | 第15-16页 | | · 密度泛函理论 | 第16-21页 | | · Hohenberg-Kohn定理 | 第17-18页 | | · Kohn-Sham理论 | 第18-19页 | | · 交换-关联泛函 | 第19-21页 | | · 第一性原理计算方法 | 第21-24页 | | · 第一性原理的计算流程 | 第22页 | | · k点空间取样规则 | 第22页 | | · 截断动能的选取 | 第22-23页 | | · 平面波赝势法 | 第23-24页 | | · CASTEP软件包简介 | 第24-25页 | | · 本章小结 | 第25-27页 | | 第三章 宽带隙半导体CdAl_2X_4(X=S,Se)第一性原理研究 | 第27-39页 | | · 引言 | 第27页 | | · 计算方法和计算参数的设置 | 第27-28页 | | · 计算结果与讨论 | 第28-36页 | | · 晶格结构 | 第28页 | | · 能带结构和态密度 | 第28-30页 | | · 布居分析 | 第30-31页 | | · 弹性性质 | 第31-32页 | | · 光学性质 | 第32-36页 | | · 本章小结 | 第36-39页 | | 第四章 半导体CdCa_2X_4(X=S,Se)第一性原理研究 | 第39-47页 | | · 引言 | 第39页 | | · 理论模型与计算方法 | 第39-40页 | | · 计算结果与讨论 | 第40-45页 | | · 晶体结构与弹性常数 | 第40-41页 | | · 能带结构和态密度 | 第41-42页 | | · 光学性质 | 第42-45页 | | · 小结 | 第45-47页 | | 第五章 总结与展望 | 第47-49页 | | 参考文献 | 第49-55页 | | 致谢 | 第55-57页 | | 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第57-58页 |
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