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六方氮化硼的能带特性和深紫外探测器研究

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六方氮化硼的能带特性和深紫外探测器研究
论文目录
 
致谢第1-5页
摘要第5-7页
ABSTRACT第7-14页
第一章 绪论第14-28页
  1.1 引言第14页
  1.2 六方氮化硼结构、性质及应用第14-16页
  1.3 六方氮化硼制备工艺第16-18页
  1.4 六方氮化硼紫外光电探测器简介第18-26页
    1.4.1 紫外光电探测器概述第18-20页
    1.4.2 MSM紫外光电探测器工作原理第20-23页
    1.4.3 六方氮化硼紫外探测研究现状第23-26页
  1.5 本文的研究动机和研究内容第26-28页
第二章 六方氮化硼的能带特性第28-40页
  2.1 引言第28页
  2.2 六方氮化硼的带隙性质第28-33页
    2.2.1 六方氮化硼体材料的能带性质第28-31页
    2.2.2 单层、两层及三层hBN的能带性质第31-33页
  2.3 基于S掺杂的六方氮化硼能带调控第33-38页
    2.3.1 S掺杂对于hBN能带的调控第33-36页
    2.3.2 S掺杂对于hBN红外和拉曼光谱的影响第36-38页
  2.4 本章小结第38-40页
第三章 六方氮化硼薄膜的制备及表征第40-52页
  3.1 引言第40页
  3.2 磁控溅射法制备六方氮化硼薄膜第40-41页
  3.3 薄膜常用表征手段介绍第41-43页
    3.3.1 傅里叶变换红外光谱(FTIR)第41-42页
    3.3.2 X射线光电子能谱(XPS)第42页
    3.3.3 紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)第42页
    3.3.4 原子力显微镜(AFM)第42-43页
  3.4 所制备样品表征结果及分析第43-47页
  3.5 工作气体组分对于薄膜质量的影响第47-51页
  3.6 本章小结第51-52页
第四章 基于六方氮化硼的深紫外探测器第52-68页
  4.1 六方氮化硼MSM型紫外探测器的制备第52-54页
  4.2 六方氮化硼的金半接触特性第54-60页
    4.2.1 金属-半导体接触特性第55-58页
    4.2.2 六方氮化硼金半接触I-V特性第58-60页
  4.3 紫外探测器测试系统和性能分析第60-66页
    4.3.1 紫外探测器测试系统第60-62页
    4.3.2 hBN紫外探测器性能测试和分析第62-66页
  4.4 本章小结第66-68页
第五章 总结与展望第68-70页
  5.1 本论文主要内容及结论第68-69页
  5.2 本论文的特色和创新点及展望第69-70页
参考文献第70-78页
作者简历及攻读硕士期间取得的科研成果第78页

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