基于碳化硅MOSFET变温度参数模型的器件建模与仿真验证



基于碳化硅MOSFET变温度参数模型的器件建模与仿真验证

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基于碳化硅MOSFET变温度参数模型的器件建模与仿真验证

论文目录
摘要	第1-6页
Abstract	第6-9页
第1章绪论	第9-18页
· 课题研究背景及意义	第9-12页
· 国内外研究现状	第12-16页
· SiC MOSFET器件的发展状况	第12-14页
· SiC MOSFET器件模型	第14-16页
· PSpice概述	第16-17页
· 本文主要工作	第17-18页
第2章 SiC MOSFET建模基础	第18-25页
· SiC MOSFET的结构特点及重要参数	第18-21页
· SiC MOSFET的物理结构及外特性	第18页
· SiC MOSFET器件的几个重要参数	第18-21页
· CREE公司提供的Spice模型	第21-25页
· Spice模型静态特性测试	第21-23页
· Spice模型动态特性测试	第23-25页
第3章 SiC MOSFET变温度参数模型的静态模型	第25-40页
· 基本MOSFET单元M1建模	第25-29页
· 导通电阻及内部门极电阻建模	第29-32页
· 温控电压源及温控电流源建模	第32-34页
· SiC MOSFET静态特性验证	第34-39页
· 本章小结	第39-40页
第4章 SiC MOSFET变温度参数模型的动态模型	第40-49页
· 体二极管Doby-Diode建模	第40-43页
· 门-漏极间电容建模	第43-44页
· 门-源极间电容建模	第44-45页
· 动态模型验证	第45-48页
· 本章小结	第48-49页
第5章总结与展望	第49-51页
· 工作总结	第49-50页
· 未来工作展望	第50-51页
附录A	第51-55页
附录B	第55-56页
参考文献	第56-60页
攻读硕士学位期间的成果	第60-61页
致谢	第61页

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