论文目录 | |
| 摘要 | 第1-12页 |
| ABSTRACT | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第14-23页 |
| 1.1 引言 | 第14-15页 |
| 1.2 二维过渡金属硫族化合物的性质 | 第15-20页 |
| 1.2.1 晶体结构 | 第15-17页 |
| 1.2.2 奇特的能带结构 | 第17-19页 |
| 1.2.3 光致荧光特性 | 第19-20页 |
| 1.3 单层过渡金属硫族化合物的制备 | 第20-22页 |
| 1.3.1 机械剥离法 | 第20-21页 |
| 1.3.2 化学气相沉积法 | 第21页 |
| 1.3.3 离子插层法 | 第21-22页 |
| 1.4 本文的研究思路和主要内容 | 第22-23页 |
| 第二章 电子传输材料PC_(61)BM对老化的ML WS_2 光致荧光的修饰作用 | 第23-40页 |
| 2.1 老化的ML WS_2的基本特性 | 第23-32页 |
| 2.1.1 单层WS_2的制备和表征 | 第23-27页 |
| 2.1.2 老化的ML WS_2的表征 | 第27-32页 |
| 2.2 电子传输材料 | 第32-36页 |
| 2.2.1 电子传输材料在钙钛矿太阳能电池中的应用 | 第32-34页 |
| 2.2.2 电子传输材料PC_(61)BM简介 | 第34-35页 |
| 2.2.3 电子传输材料PC_(61)BM的表征 | 第35-36页 |
| 2.3 电子传输材料PC_(61)BM对发生退化的ML WS_2的修饰作用 | 第36-39页 |
| 2.3.1 样品PC_(61)BM/WS_2 的制备 | 第36页 |
| 2.3.2 实验结果与讨论 | 第36-39页 |
| 2.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 钙钛矿量子点对ML WS_2 光致荧光特性的调控 | 第40-58页 |
| 3.1 钙钛矿量子点介绍 | 第41-44页 |
| 3.2 钙钛矿量子点CsPbBr_3对ML WS_2光致荧光的增强作用 | 第44-52页 |
| 3.2.1 钙钛矿量子点CsPbBr_3简介 | 第44-47页 |
| 3.2.2 钙钛矿量子点CsPbBr_3对ML WS_2光致荧光的增强 | 第47-52页 |
| 3.3 钙钛矿量子点FAPbBr_3对ML WS_2光致荧光的削弱作用 | 第52-56页 |
| 3.3.1 钙钛矿量子点FAPbBr_3简介 | 第53-54页 |
| 3.3.2 钙钛矿量子点FAPbBr_3对ML WS_2光致荧光的削弱 | 第54-56页 |
| 3.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 第四章 单层MoS_2 光致荧光的电学调控 | 第58-65页 |
| 4.1 单层MoS_2 的表征 | 第58-60页 |
| 4.2 单层MoS_2场效应管的制备和表征 | 第60-62页 |
| 4.2.1 单层MoS_2场效应管的制备 | 第60-61页 |
| 4.2.2 单层MoS_2场效应管的表征 | 第61-62页 |
| 4.3 电压对ML MoS_2光致荧光特性的调控 | 第62-64页 |
| 4.3.1 底栅电压Vgate的调控 | 第62-63页 |
| 4.3.2 源漏偏压VD的调控 | 第63-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 5.1 总结 | 第65-66页 |
| 5.2 展望 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第74页 |
