InGaN/AlGaInN量子阱发光特性的研究

InGaN/AlGaInN量子阱发光特性的研究

论文目录
摘要	第1-7页
ABSTRACT	第7-11页
第一章绪论	第11-23页
1.1 研究背景	第11-12页
1.2 Ⅲ族氮化物的研究概况	第12-13页
1.3 Ⅲ族氮化物的基本性质	第13-18页
1.3.1 晶体结构	第13-16页
1.3.2 基本性质	第16-17页
1.3.3 三元、四元合金材料	第17-18页
1.4 InGaN/GaN量子阱的基本性质	第18-20页
1.5 InGaN/GaN量子阱中的极化效应	第20-21页
1.6 论文结构和研究内容	第21-23页
第二章 PL谱测试原理与应用	第23-29页
2.1 引言	第23页
2.2 光致发光的基本原理	第23-26页
2.3 PL谱的重要参数及应用	第26-27页
2.4 LED的发光效率	第27-28页
2.5 本文实验所用PL装置	第28-29页
第三章 InGaN/AlGaInN多量子阱光致发光特性	第29-39页
3.1 引言	第29页
3.2 实验样品和要求	第29-31页
3.3 SEM表面形貌分析	第31-32页
3.4 室温变功率PL-结果与分析	第32-35页
3.5 变温PL-结果与分析	第35-39页
第四章结论	第39-41页
参考文献	第41-45页
致谢	第45-46页
攻读硕士学位期间发表的学术论文	第46-47页

本篇论文共47页，点击这进入下载页面。

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