论文目录 | |
摘要 | 第1-4
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ABSTRACT | 第4-9
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第一章 前言 | 第9-28
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· 纳米材料概述 | 第9-12
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· 纳米材料的性质及应用 | 第9-10
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· 纳米材料及纳米结构 | 第10-11
页 |
· 纳米材料的物理特性 | 第11-12
页 |
· 纳米材料制备方法 | 第12-19
页 |
· 水热、溶剂热合成法 | 第13-17
页 |
· 水热合成法的特点 | 第13-14
页 |
· 溶剂热合成法的特点 | 第14
页 |
· 溶剂热合成法中溶剂的选择 | 第14-15
页 |
· 水热与溶剂热法的成核与生长 | 第15-16
页 |
· 水热与溶剂热法中影响晶体形貌的因素 | 第16-17
页 |
· 模板合成法 | 第17-18
页 |
· 准一维纳米材料制备法 | 第18-19
页 |
· 纳米材料的表征 | 第19-22
页 |
· 结构分析 | 第20-21
页 |
· 晶态分析 | 第21
页 |
· 化学成分分析 | 第21-22
页 |
· Ⅳ-Ⅵ族半导体化合物的结构与性质 | 第22-23
页 |
· 硫化锡及硒化锡纳米晶的研究概况 | 第23-26
页 |
· 硫化锡纳米晶的研究概况 | 第23-25
页 |
· 硒化锡纳米晶的研究概况 | 第25-26
页 |
· 开展本课题工作的目的和意义 | 第26-27
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· 本论文工作 | 第27-28
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第二章 SnS纳米及微米晶的制备及结构表征 | 第28-44
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· 引言 | 第28
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· 试验材料和仪器 | 第28-29
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· SnS纳米带的制备及表征 | 第29-39
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· 实验结果与讨论 | 第29-39
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· SnS纳米带的晶型结构XRD分析 | 第29-30
页 |
· SnS纳米带的透射电镜TEM分析和电子衍射分析 | 第30-32
页 |
· SnS纳米带的扫描电镜SEM分析 | 第32-33
页 |
· SnS纳米带的能谱分析 | 第33
页 |
· SnS纳米带的紫外-可见吸收光谱 | 第33-34
页 |
2.3.1.6.反应温度对SnS纳米带的影响 | 第34-36
页 |
· 硫源对SnS纳米带的影响 | 第36
页 |
· 溶剂和添加剂对SnS纳米带的影响 | 第36-37
页 |
· 溶剂热条件下SnS纳米带生长机理探讨 | 第37-39
页 |
· 小结 | 第39
页 |
· SnS微米管的制备及表征 | 第39-44
页 |
· 实验结果与讨论 | 第39-43
页 |
· SnS微米管的晶型结构XRD分析 | 第40
页 |
· SnS微米管的SEM分析 | 第40-41
页 |
· SnS微米管的紫外-可见吸收光谱 | 第41-42
页 |
· 反应条件对合成SnS微米管的影响及生长机理讨论 | 第42-43
页 |
· 小结 | 第43-44
页 |
第三章 SnSe_2/SnSe纳米片的制备及结构表征 | 第44-65
页 |
· 引言 | 第44
页 |
· 试验材料及仪器 | 第44-45
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· 以Na_2SeO_3为硒源合成SnSe_2及SnSe纳米片 | 第45-54
页 |
· 实验结果与讨论 | 第45-53
页 |
· 反应时间对合成SnSe_2及SnSe纳米片的影响 | 第45-51
页 |
· 反应物浓度对合成SnSe_2及SnSe纳米片的影响 | 第51-52
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· 溶剂对合成SnSe_2及SnSe纳米片的影响 | 第52-53
页 |
· 溶剂化过程中SnSe_2及SnSe纳米片的反应机理探讨 | 第53
页 |
· 小结 | 第53-54
页 |
· 以硒粉为硒源合成SnSe_2及SnSe纳米片的制备与表征 | 第54-65
页 |
· 实验结果与讨论 | 第54-64
页 |
· 反应时间对合成SnSe_2及SnSe纳米片的影响 | 第55-57
页 |
· 反应物计量比对合成SnSe_2及SnSe纳米片的影响 | 第57-58
页 |
· 溶剂及添加剂种类对合成SnSe_2及SnSe纳米片的影响 | 第58-60
页 |
· 添加剂用量对合成SnSe_2及SnSe纳米片的影响 | 第60-64
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· 小结 | 第64-65
页 |
结论 | 第65-67
页 |
参考文献 | 第67-72
页 |
致谢 | 第72-73
页 |
攻读硕士学位期间已发表和待发的论文 | 第73-74
页 |
独创性声明 | 第74-75
页 |
关于论文使用授权的说明 | 第75
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