论文目录 | |
| 摘要 | 第1-6
页 |
| ABSTRACT | 第6-8
页 |
| 第一章 GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的研究进展 | 第8-14
页 |
| 1．1 红外探测器的分类与应用 | 第8-10
页 |
| 1．2 GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的发展历程 | 第10-12
页 |
| 1．3 国内外研究现状及选题动机 | 第12-14
页 |
| 第二章 GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器能带结构的设计和计算 | 第14-28
页 |
| 2．1 GaAs/AlGaAs量子阱的能带结构 | 第15-16
页 |
| 2．2 Kronig-Penney模型 | 第16-19
页 |
| 2．3 量子干涉模型 | 第19-21
页 |
| 2．4 几种量子阱材料能带结构的设计和计算 | 第21-26
页 |
| 2．5 材料的生长和结构 | 第26-27
页 |
| 2．6 本章总结 | 第27-28
页 |
| 第三章 GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器性能的研究 | 第28-45
页 |
| 3．1 GaAs/AlGaAs量子阱材料的光学性质 | 第28-37
页 |
| 3．1．1 掺铬半绝缘 GaAs的光学性质 | 第28-31
页 |
| 3．1．2 GaAs/AlGaAs量子阱超晶格材料的光学性质 | 第31-37
页 |
| 3．2 量子阱探测器性能的研究 | 第37-44
页 |
| 3．3 本章小结 | 第44-45
页 |
| 第四章 GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器和 HgCdTe探测器光电性质的比较 | 第45-53
页 |
| 4．1 HgCdTe红外探测器简介 | 第45-47
页 |
| 4．2 GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器和HgCdTe探测器光电性质的比较 | 第47-52
页 |
| 4．3 本章总结 | 第52-53
页 |
| 第五章 新型红外材料光学性质的研究 | 第53-62
页 |
| 5．1 铌酸钙钡材料的基本状况 | 第54-55
页 |
| 5．2 铌酸钙钡单晶单晶的生长 | 第55
页 |
| 5．3 铌酸钙钡单晶单晶光学性质的研究 | 第55-61
页 |
| 5．4 结论 | 第61-62
页 |
| 第六章 总结 | 第62-64
页 |
| 参考文献 | 第64-68
页 |
| 致谢 | 第68-69
页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第69-70
页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第70
页 |
