硅基光学相控阵理论研究与器件设计
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硅基光学相控阵理论研究与器件设计
论文目录
摘要
第1-6页
ABSTRACT
第6-11页
符号对照表
第11-13页
缩略语对照表
第13-16页
第一章 绪论
第16-22页
1.1 研究背景及意义
第16页
1.2 国内外研究现状
第16-21页
1.2.1 国外研究现状
第16-20页
1.2.2 国内研究现状
第20-21页
1.3 本论文的主要工作和结构安排
第21-22页
第二章 Si波导相控阵和GaAs波导相控阵性能对比
第22-34页
2.1 光波导相控阵基本原理
第22-25页
2.1.1 Si的热光效应
第22-23页
2.1.2 GaAs的电光效应
第23-24页
2.1.3 光波导相控阵扫描原理
第24-25页
2.2 Si和GaAs波导阵列传输特性对比
第25-29页
2.2.1 模拟软件简介
第25-26页
2.2.2 波导光场传输条件
第26页
2.2.3 单个波导的传输特性
第26-28页
2.2.4 波导阵列的耦合特性
第28-29页
2.3 Si波导相控阵和GaAs波导相控阵性能对比
第29-30页
2.4 Si波导相控阵扫描特性
第30-32页
2.4.1 扫描范围
第30-31页
2.4.2 扫描光束半角宽度及扫描分辨率
第31-32页
2.5 本章小结
第32-34页
第三章 耦合及分束系统
第34-46页
3.1 Si波导相控阵系统结构
第34页
3.2 光栅耦合器
第34-40页
3.2.1 布拉格条件
第35-37页
3.2.2 光栅周期和占空比对耦合效率的影响
第37-38页
3.2.3 刻蚀深度和占空比对耦合效率的影响
第38页
3.2.4 光源入射角度对耦合效率的影响
第38-39页
3.2.5 工作带宽
第39-40页
3.3 MMI分束器
第40-45页
3.3.1 MMI分束原理
第40-42页
3.3.2 MMI分束器结构设计
第42-43页
3.3.3 拉锥型MMI分束器结构设计
第43-45页
3.4 本章小结
第45-46页
第四章 Si波导光学相控阵移相器阵列设计
第46-56页
4.1 热传导理论基础
第46-47页
4.1.1 热传导微分方程
第46-47页
4.1.2 加热电极材料的选取
第47页
4.2 影响移相器单元温度分布和相移特性的因素
第47-52页
4.2.1 电极宽度对温度分布和相移特性的影响
第48-49页
4.2.2 电极高度对温度分布和相移特性的影响
第49-50页
4.2.3 上包层高度对温度分布和相移特性的影响
第50-51页
4.2.4 电极长度对温度分布和相移特性的影响
第51-52页
4.3 影响移相器阵列温度分布的因素
第52-55页
4.3.1 外加功率对移相器阵列温度分布的影响
第52-54页
4.3.2 阵元周期对温度分布的影响
第54-55页
4.4 本章小结
第55-56页
第五章 总结与展望
第56-58页
参考文献
第58-62页
致谢
第62-64页
作者简介
第64-65页
本篇论文共
65
页,
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。
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