论文目录 | |
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| · 阻变存储器的研究背景和意义 | 第10-13页 |
| · 阻变存储材料的研究状况 | 第13-15页 |
| · SiO_x薄膜阻变存储器的研究进展 | 第15-17页 |
| · 本论文的主要研究内容和创新点 | 第17-19页 |
| 参考文献 | 第19-21页 |
| 第二章 阻变nc-Si薄膜的制备与结构研究 | 第21-33页 |
| · 引言 | 第21页 |
| · 镶嵌在SiO_x基质中的nc-Si薄膜的制备 | 第21-22页 |
| · nc-Si薄膜结构与组分的表征和分析 | 第22-29页 |
| · nc-Si薄膜微结构的透射电子显微镜表征 | 第22-24页 |
| · SiO薄膜与nc-Si薄膜的XPS分析 | 第24-29页 |
| · SiO薄膜与nc-Si薄膜的Raman光谱分析 | 第29页 |
| · SiO薄膜与镶嵌在SiO_x基质中的nc-Si薄膜的结构模型 | 第29-30页 |
| · 本章小结 | 第30-32页 |
| 参考文献 | 第32-33页 |
| 第三章 纳米硅薄膜的阻变存储性质的研究 | 第33-47页 |
| · 引言 | 第33页 |
| · 基于nc-Si薄膜的阻变存储器件的制备 | 第33-34页 |
| · 基于nc-Si薄膜的阻变存储器件的I-V特性测试与分析 | 第34-40页 |
| · 原始沉积SiO薄膜和nc-Si薄膜的I-V特性 | 第34-36页 |
| · 顶电极对器件的阻变存储特性的影响 | 第36-39页 |
| · 测试环境对器件阻变存储特性的影响 | 第39-40页 |
| · nc-Si薄膜的阻变存储机制的探讨 | 第40-44页 |
| · nc-Si薄膜在阻变过程中的结构分析 | 第40-41页 |
| · nc-Si薄膜阻变存储特性的物理机制与模型 | 第41-44页 |
| · 本章小结 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |
| 第四章 阻变nc-Si薄膜的介电函数与阻变特性的关系 | 第47-62页 |
| · 引言 | 第47-49页 |
| · SiO薄膜和nc-Si薄膜的结构模型和介电函数的关系 | 第49-53页 |
| · 原始SiO薄膜的结构模型与介电函数的分析 | 第50-51页 |
| · nc-Si薄膜的结构模型与介电函数的分析 | 第51-53页 |
| · nc-Si介电函数的特征对阻变特性的辅助研究 | 第53-60页 |
| · 从薄膜的介电函数特征分析nc-Si薄膜的阻变特性 | 第53-56页 |
| · 从nc-Si晶粒的介电函数的特征分析nc-Si薄膜的阻变模型 | 第56-60页 |
| · 本章小结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-62页 |
| 第五章 总结与展望 | 第62-64页 |
| · 总结 | 第62-63页 |
| · 展望 | 第63-64页 |
| 硕士期间发表论文与成果 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-67
页 |
